Омельяновский Эразм Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  507–511
2. Оптические и вибрационные свойства $a$-SiN$_{x}$ : H
   
   Физика твердого тела, 31:10 (1989),  237–241
3. Оптические свойства и структура химических связей $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
   
   Физика твердого тела, 31:10 (1989),  231–236
4. Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах системы InGaAsP с помощью атомарного водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1711–1713
5. Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом
   
   Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1267–1269
6. Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии в вариантах температурного и частотного сканирования
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  725–727
7. Исследование спектров примесного поглощения $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H методом фотоакустической спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  673–676
8. О диффузии водорода в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  178–180
9. К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия атомарным водородом
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2217–2218
10. Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных образцах $a$-Si : Н
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1967–1971
11. Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1892–1894
12. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1203–1207
13. Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  168–171
14. Исследование спектра локальных состояний $a$-Si : H методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  155–157
15. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  44–48
16. Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия в магнитоактивной микроволновой водородной плазме
    
    Докл. АН СССР, 297:3 (1987),  580–584
17. О природе тонкой структуры в спектрах решеточного отражения арсенида галлия
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  2886–2889
18. О поведении ванадия в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2024–2027
19. Пассивация мелких примесных центров в арсениде галлия с помощью атомарного водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1762–1764
20. Оптические переходы с участием $D$-центров в аморфных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1631–1636
21. Влияние атомарного водорода на свойства арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  842–847
22. Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ
    
    Письма в ЖТФ, 13:7 (1987),  385–388
23. Об определении параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии глубоких уровней (ФЭРСГУ)
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1428–1432
24. Энергетический спектр глубоких состояний в щели подвижности $a$-Si : H
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  720–723
25. Энергетический спектр глубоких локализованных $D^{0}$-состояний в $a$-Si : H
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  550–552
26. Спектры ИК поглощения пленок аморфного гидрогенизированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  457–461
27. Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия потоком водородной плазмы
    
    Письма в ЖТФ, 12:24 (1986),  1486–1489
28. О природе полосы фотолюминесценции с энергией 1.14 эВ в кристаллах InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1986–1990
29. Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации примеси в фосфиде индия, легированном марганцем
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1763–1767
30. Особенности рекомбинации в аморфном гидрогенизированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1046–1051
31. Исследование спектра глубоких уровней в эпитаксиальных структурах методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированных токов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  735–737
32. Исследование плотности локализованных состояний в $a$-Si : Н методом оптического поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  48–52
33. ИК фотопроводимость $a$-Si : Н в условиях собственной подсветки
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  44–47
34. К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1450–1454
35. Новый тип примесных дефектов в полуизолирующем арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1363–1366
36. Прыжковая проводимость по глубоким примесным состояниям в InP$\langle\text{Mn}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  446–450
37. О форме нахождения примесей в сильнолегированных монокристаллах германия и кремния $n$-типа
    
    Докл. АН СССР, 149:5 (1963),  1119–1122