Эпов Владимир Станиславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
2. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1207–1211
3. Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1401–1406
4. Гигантское магнетосопротивление пленок PbSnTe:In в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом: угловые особенности и влияние поверхности
   
   Письма в ЖЭТФ, 106:7 (2017),  426–433
5. Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1574–1578
6. Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe : In/BaF$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1569–1573
7. Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719
8. Твердый раствор PbSnTe : In – уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1662–1668
9. Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe : In/BaF$_{2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1501–1508
10. Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  447–453