RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Остроумов Всеволод Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1273–1276
  2. Легирование полупроводников с помощью фотоядерных реакций

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  625–628
  3. Механизм эмиссии протонов из ядер при неупругом рассеянии $\pi$- и K-мезонов промежуточных энергий

    УФН, 141:3 (1983),  556–558
  4. Сечения некоторых реакций поглощения быстрых $\pi^+$-мезонов легкими ядрами

    Докл. АН СССР, 159:6 (1964),  1255–1256
  5. Наблюдение распада ядра $\mathrm{B}^9_5$ в ядерной эмульсии

    Докл. АН СССР, 141:3 (1961),  593–594


© МИАН, 2026