Пшенай-Северин Дмитрий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние термической обработки на оптические и электрофизические свойства $\alpha$-GeTe
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2448–2452
2. Расчеты ab initio фононных спектров и теплопроводности RhSi, RhSn и твердых растворов на их основе
   
   Физика твердого тела, 66:5 (2024),  693–698
3. Уровни Ландау топологического полуметалла CoSi вблизи $\Gamma$-точки и их вклад в орбитальную магнитную восприимчивость
   
   Физика твердого тела, 66:5 (2024),  685–692
4. Исследование фононной теплопроводности твердых растворов CoSi–CoGe с использованием ab initio динамики решетки
   
   Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1711–1715
5. Теоретическое исследование фононного спектра и теплопроводности решетки в GeTe
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1144–1148
6. Гальваномагнитные свойства моносилицида кобальта и сплавов на его основе
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  746–750
7. Термоэлектрические свойства моносилицида кобальта и сплавов на его основе
   
   Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  674–679
8. Температурная зависимость параметра решетки порошков Cu$_{2-x}$Se (0.03 $\le x\le$ 0.23), полученных методом механохимического синтеза
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2255–2259
9. Исследование теплопроводности Cu$_{2}$Se с учетом влияния подвижных ионов меди
   
   Физика твердого тела, 59:10 (2017),  2071–2076
10. Управление температурными полями в процессе искрового плазменного спекания термоэлектриков
    
    ЖТФ, 87:4 (2017),  584–592
11. Экспериментальные и теоретические исследования термоэлектрических свойств селенида меди
    
    Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  892–895
12. Расчет теплопроводности наноструктурированного Bi$_{2}$Te$_{3}$ с учетом реального фононного спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  729–732
13. Формирование методом активированного полем спекания эффективных материалов для устройств альтернативной энергетики
    
    Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  47–54
14. Влияние пористости на термоэлектрическую эффективность PbTe
    
    Физика твердого тела, 58:8 (2016),  1483–1489
15. Термоэлектрические свойства твердых растворов Mg$_{2}$Si–Mg$_{2}$Sn $n$-типа в зависимости от размера зерна
    
    Физика твердого тела, 58:8 (2016),  1479–1482
16. Использование метода раствор в расплаве для создания композитных материалов, состоящих из металлической матрицы и микрокристаллов CrSi$_{2}$
    
    ЖТФ, 86:1 (2016),  155–158
17. Распределение температуры и плотности тока при искровом плазменном спекании неоднородных образцов
    
    ЖТФ, 86:1 (2016),  70–77
18. Анизотропные слоистые высокотемпературные термоэлектрические материалы на базе двухфазной системы CrSi$_2$, $\beta$-FeSi$_2$
    
    ЖТФ, 84:8 (2014),  106–111
19. Легирование и дефектообразование в термоэлектрике ZnSb с примесью меди
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1611–1620
20. Термоэлектрическая эффективность интерметаллида ZnSb
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  448–453
21. О создании функционально-градиентных термоэлектриков методом искрового плазменного спекания
    
    Письма в ЖТФ, 40:21 (2014),  79–87
22. Влияние распределения зерен по размерам на решеточную теплопроводность наноструктурированных материалов на основе Bi$_2$Te$_3$–Sb$_2$Te$_3$
    
    Физика твердого тела, 55:12 (2013),  2323–2330
23. Исследование возможностей увеличения термоэлектрической эффективности в наноструктурированных материалах на основе Bi$_2$Te$_3$–Sb$_2$Te$_3$
    
    Физика твердого тела, 54:11 (2012),  2036–2042
24. Резонансные состояния, тяжелые квазичастицы и термоэлектрическая эффективность материалов A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  889–895
25. Энергетическая фильтрация носителей тока в наноструктурированном материале на основе теллурида висмута
    
    Физика твердого тела, 53:1 (2011),  29–34
26. Легирование полупроводников A$^{\mathrm{IV}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  742–748