|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия
Квантовая электроника, 55:1 (2025), 30–35
-
Электрооптические и электроабсорбционные модуляторы на 1.5-микрометровый спектральный диапазон на основе InP
Квантовая электроника, 53:11 (2023), 821–832
-
Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора
Письма в ЖТФ, 48:13 (2022), 37–41
-
GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
ЖТФ, 91:11 (2021), 1727–1731
-
Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 77–84
-
Природа люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра–Блоджетт
Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017), 21–25
-
Происхождение синей полосы люминесценции в оксиде циркония
Физика твердого тела, 57:7 (2015), 1320–1324
-
Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 230–235
-
Форма рельефа гетерограниц в (311)А-ориентированных структурах GaAs/AlAs
Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010), 358–366
© , 2026