|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние термической обработки на оптические и электрофизические свойства $\alpha$-GeTe
Физика твердого тела, 67:12 (2025), 2448–2452
-
Расчеты ab initio фононных спектров и теплопроводности RhSi, RhSn и твердых растворов на их основе
Физика твердого тела, 66:5 (2024), 693–698
-
Уровни Ландау топологического полуметалла CoSi вблизи $\Gamma$-точки и их вклад в орбитальную магнитную восприимчивость
Физика твердого тела, 66:5 (2024), 685–692
-
Намагниченность поликристаллического иттербия в области низкотемпературного структурного перехода
Физика твердого тела, 66:1 (2024), 14–16
-
Электросопротивление, термоэдс и коэффициент Холла чистого таллия при 100–550 K
ЖТФ, 93:8 (2023), 1130–1133
-
Исследование фононной теплопроводности твердых растворов CoSi–CoGe с использованием ab initio динамики решетки
Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1711–1715
-
Влияние термической предыстории на свойства эффективных термоэлектрических сплавов Ge$_{0.86}$Pb$_{0.1}$Bi$_{0.04}$Te
Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 261–265
-
Теоретическое исследование фононного спектра и теплопроводности решетки в GeTe
Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1144–1148
-
Зависимость кинетики кристаллизации тонких пленок Cr$_{0.26}$Si$_{0.74}$ от толщины
Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 355–357
-
Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора–расплава в Sn
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 770–773
-
Термоэлектрические свойства нанокомпозитного Bi$_{0.45}$Sb$_{1.55}$Te$_{2.985}$ с микрочастицами SiO$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 751–755
-
Гальваномагнитные свойства моносилицида кобальта и сплавов на его основе
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 746–750
-
Термоэлектрические свойства моносилицида кобальта и сплавов на его основе
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 674–679
-
Влияние лантана на транспортные свойства оксиселенидов Bi$_{1-x}$La$_{x}$CuSeO
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 631–634
-
Термоэлектрические свойства лент In$_{0.2}$Ce$_{0.1}$Co$_{4}$Sb$_{12.3}$, полученных методом быстрой закалки
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 587–592
-
Влияние замещения висмута празеодимом и лантаном на термоэлектрические свойства оксиселенидов BiCuSeO
Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 226–230
-
Термоэлектрические свойства лент Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$, полученных методом спиннингования расплава
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1068–1070
-
Низкотемпературный транспорт в моносилициде кобальта и сплавах на его основе
Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 723–725
-
Вклад селективного рассеяния в увеличение термоэдс нанокристаллических пленок Cr$_{1-x}$Si$_{x}$
Физика твердого тела, 58:6 (2016), 1054–1057
-
Легирование и дефектообразование в термоэлектрике ZnSb с примесью меди
Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1611–1620
-
Влияние термообработки на структуру и термоэлектрические свойства CrSi$_2$
ЖТФ, 81:2 (2011), 147–149
-
Структура и термоэлектрические свойства CrSi$_2$, полученного методом кристаллизации из раствора-расплава в олове
ЖТФ, 80:5 (2010), 157–158
-
Постоянная Холла, термоэдс и электросопротивление в YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ при температурах 100${-}$450 K
Физика твердого тела, 30:7 (1988), 2233–2236
-
Анизотропия постоянной Холла в бериллии при температурах 77$-$1000 K
Физика твердого тела, 30:4 (1988), 1235–1237
-
Особенности высокотемпературной термоэдс рения
Физика твердого тела, 29:10 (1987), 3152–3154
-
Аномальная анизотропия высокотемпературной термоэдс бериллия
Физика твердого тела, 28:12 (1986), 3737–3739
-
Анизотропия термоэдс рения и электросопротивления высокой чистоты
Физика твердого тела, 28:3 (1986), 785–788
-
Температурные зависимости термоэдс и электросопротивления празеодима и неодима в твердом и жидком состояниях
Физика твердого тела, 26:12 (1984), 3673–3676
-
Влияние степени чистоты на высокотемпературные фазовые превращения в самарии
Физика твердого тела, 25:2 (1983), 570–572
-
Влияние вихревых термоэлектрических токов на точность измерения
термоэдс при высоких температурах
Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1694–1696
© , 2026