|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
К теории а.ф.н.- и а.ф.м.н.-эффектов в пленках теллурида кадмия
Докл. АН СССР, 215:3 (1974), 558–561
-
К теории оптоэлектронных цепей
Докл. АН СССР, 211:2 (1973), 312–315
-
Фотоэлектрический и фотомагнитный эффекты в полупроводниковых пленках
УФН, 105:4 (1971), 746–748
-
Оптрон с прямой оптической связью как четырехполюсник
Докл. АН СССР, 192:5 (1970), 1011–1014
-
Пленочные фотодиодные матрицы на гетеропереходах $n\mathrm{CdS}$ – $p\mathrm{CdTe}$
Докл. АН СССР, 192:4 (1970), 764–767
-
Фотомагнитный эффект в афн-пленках теллурида кадмия
Докл. АН СССР, 188:6 (1969), 1254–1257
-
Светодиоды с гистерезисом излучения
Докл. АН СССР, 188:2 (1969), 304–307
-
К динамической теории регенеративного оптрона
Докл. АН СССР, 186:6 (1969), 1281–1283
-
Условие полной регенерации в оптроне с фоторезистором
Докл. АН СССР, 186:5 (1969), 1037–1040
-
К теории регенеративного оптрона
Докл. АН СССР, 186:4 (1969), 799–802
-
Оптические свойства пленок на полупроводниковых подложках
Докл. АН СССР, 182:3 (1968), 534–537
-
О кинетике и времени релаксации фототока в афн-пленках теллурида кадмия
Докл. АН СССР, 181:5 (1968), 1090–1093
-
Гетероконтакт полупроводник – диэлекрик с потенциальной ловушкой для электронов в приконтактном слое
Докл. АН СССР, 180:1 (1968), 52–55
-
Вольт-амперная характеристика гетероконтакта полупроводник – диэлектрик
Докл. АН СССР, 178:1 (1968), 68–71
-
Эмиссионные токи в диодных структурах на пленках арсенида галлия
Докл. АН СССР, 177:5 (1967), 1047–1049
-
Афн-эффект в монохроматическом свете
Докл. АН СССР, 174:3 (1967), 545–548
-
Эмиссия Шоттки и токи в диэлектриках
Докл. АН СССР, 173:5 (1967), 1032–1035
-
Релаксация аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия
Докл. АН СССР, 173:2 (1967), 298–301
-
О природе афн-эффекта в полупроводниковых пленках
Докл. АН СССР, 168:5 (1966), 1037–1040
-
Исследование регенеративного оптрона с оптической обратной связью
Докл. АН СССР, 168:2 (1966), 310–313
-
Диэлектрическая электроника и квадратичный закон токов, ограниченных пространственным зарядом
Докл. АН СССР, 164:4 (1965), 771–774
-
Микрофотобатарея или фотоэлемент
Докл. АН СССР, 164:3 (1965), 529–532
-
Новый гистерезисный эффект в кремниевых $p$ – $n$-переходах
Докл. АН СССР, 161:1 (1965), 70–73
-
Фазово-компенсационный метод измерения релаксационных времен порядка $10^{-10}$ сек. в $p$–$n$-переходах
Докл. АН СССР, 159:3 (1964), 532–535
-
Фотопроводимость при больших световых потоках и эффективное сечение бимолекулярной рекомбинации в кремнии
Докл. АН СССР, 158:3 (1964), 570–573
-
А.ф.н.-пленки, получаемые сублимацией атомов $\mathrm{Si}$ с поверхности токонесущей кремниевой пластинки
Докл. АН СССР, 158:2 (1964), 313–316
-
К теории фотопроводимости в тонких полупроводниковых слоях
Докл. АН СССР, 157:2 (1964), 313–316
-
Исследование аномально больших фотонапряжений в тонких пленках кремния
Докл. АН СССР, 157:1 (1964), 76–78
-
Кремниевые пленки с аномально большими фотонапряжениями
Докл. АН СССР, 155:6 (1964), 1286–1289
-
О вентильной и диффузионной фото-э.д.с.
Докл. АН СССР, 151:5 (1963), 1060–1063
-
Об аномальном дембер-эффекте
Докл. АН СССР, 150:6 (1963), 1252–1255
-
Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с локальными уровнями
Докл. АН СССР, 147:4 (1962), 813–816
-
Влияние уровней прилипания на кинетику электронных процессов в $p$ – $n$-переходах
Докл. АН СССР, 145:1 (1962), 67–70
-
Закон взаимозаместимости и квазистационарность электронных процессов в фотоэлектретах
Докл. АН СССР, 138:4 (1961), 820–823
-
Распределение гетерозаряда и поля в фотоэлектретах
Докл. АН СССР, 137:6 (1961), 1335–1338
-
Радикальная полимеризация как энергетический цепной процесс, осуществляемый при помощи экситона
Докл. АН СССР, 136:1 (1961), 117–120
-
Люминесценция и законы спектрального преобразования света
УФН, 40:3 (1950), 341–368
-
Г. Гарлик. Люминесцирующие вещества
УФН, 41:3 (1950), 419–424
© , 2026