Анисимова Надежда Ивановна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  559–565
2. Исследование распределения релаксаторов в тонких слоях аморфного MoTe$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1852–1855
3. Перенос заряда в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.5}$Fe$_{0.5}$S$_{56.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  450–454
4. Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  461–465
5. Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  149–152
6. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Pb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа
   
   Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 3(69),  15–18
7. Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  912–915
8. Токовая спектроскопия дефектных состояний в стеклообразной системе As-Se
   
   Междунар. науч.-исслед. журн., 2017, № 5-3(59),  147–153
9. Инфранизкочастотный фотодиэлектрический отклик аморфных слоев As$_2$Se$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  944–947
10. Исследование структуры аморфных слоев $a$-As$_2$Se$_3\langle$Bi$\rangle_x$ методом диэлектрической спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  92–96
11. Особенности фотодиэлектрического эффекта в слоях $\alpha$-As$_2$Se$_3$
    
    Письма в ЖТФ, 39:2 (2013),  1–6
12. Влияние легирующей добавки на диэлектрические свойства модифицированного As$_2$Se$_3$
    
    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  430–432
13. Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1038–1041