Рожков Александр Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Аномальная сверхпроводимость и необычные свойства нормального состояния двухслойного и подкрученного графена (Миниобзор)
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:9 (2025),  749–759
2. Квазиклассическое рассеяние на краевых дефектах в топологических изоляторах в магнитном поле
   
   Письма в ЖЭТФ, 120:9 (2024),  701–713
3. Переход металл-диэлектрик и другие электронные свойства двухслойного АВ-графена на ферромагнитной подложке
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023),  689–696
4. Распределение заряда и волна спиновой плотности в подкрученном двухслойном графене при магическом угле подкрутки
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:10 (2022),  708–715
5. Магнитно-электронная неустойчивость графена на ферромагнитной подложке
   
   Письма в ЖЭТФ, 114:12 (2021),  824–832
6. Новые полуметаллические состояния в системах с волнами спиновой и зарядовой плотности (Миниобзор)
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:11 (2020),  764–773
7. Фазовое расслоение в состоянии с волной спиновой плотности в подкрученном двухслойном графене при магическом угле подкрутки
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:10 (2020),  693–699
8. Неоднородные электронные состояния в системах с неидеальным нестингом
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:12 (2017),  768–779
9. Динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  719–724
10. Исследование стабильности переключения высоковольтных субнаносекундных фотонно-инжекционных коммутаторов
    
    Письма в ЖТФ, 18:10 (1992),  26–31
11. О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных тиристоров на основе гетероструктуры
    
    ЖТФ, 59:2 (1989),  156–158
12. Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного тиристора на основе гетероструктуры
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  413–418
13. Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного арсенида галлия
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  771–777
14. Исследование Р-П- и Р-П-Р-П-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1270–1274
15. Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1897–1900
16. Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах на основе гетероструктуры
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  677–682
17. Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1281–1285
18. Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе гетероструктуры
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  878–884
19. Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом
    
    ЖТФ, 54:4 (1984),  859–862
20. Мощные импульсные транзисторы на основе арсенида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  976–979
21. Арсенид-галлиевые транзисторы
    
    ЖТФ, 53:4 (1983),  763–765
22. Исследование транзисторов с оптической связью
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1618–1622
23. Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  652–655