Данилов Александр Игорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями
   
   Квантовая электроника, 54:2 (2024),  100–103
2. Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644
3. Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373
4. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
5. Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками
   
   Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1079–1087
6. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
7. Тройной интегрированный лазер-тиристор
   
   Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
8. Квантовый каскадный лазер с оптическими переходами "связанное состояние – квазиконтинуум", работающий при температуре до 371 K
   
   Квантовая электроника, 50:8 (2020),  710–713
9. Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602
10. Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  143–146
11. Двойной интегрированный лазер-тиристор
    
    Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
12. Экспериментальные исследования мощных многомодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  649–652
13. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
14. Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%
    
    Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695
15. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%
    
    Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
16. Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  120–124