Кастро Рене Арата

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности диэлектрических спектров пленок йодида серебра, легированных медью
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2399–2402
2. Изменение при легировании хромом структуры диэлектрических спектров пленок диоксида ванадия
   
   Физика твердого тела, 67:4 (2025),  737–746
3. Роль легирования ионами серебра в трансформации механизма фазового перехода в пленках диоксида ванадия
   
   Физика твердого тела, 67:2 (2025),  391–398
4. Широкополосная диэлектрическая спектроскопия раствора альбумина человека при физиологических температурах
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1224–1233
5. Диэлектрическая спектроскопия пленок AgI, легированных Cu
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2092–2094
6. Диэлектрическая спектроскопия кристаллов легированных силленитов
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1330–1337
7. Особенности фазового перехода в тонких пленках суперионного полупроводника AgI
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  624–627
8. Нанокомпозиты на основе термопластичных ароматических полиимидов с наночастицами диоксида церия: диэлектрическая спектроскопия
   
   Физика твердого тела, 64:8 (2022),  1112–1121
9. Применение метода диэлектрической спектроскопии для исследования свойств сыворотки крови мышей со злокачественным асцитом
   
   ЖТФ, 92:1 (2022),  147–151
10. Диэлектрические измерения нанокристаллических пленок VO$_2$ : Fe
    
    Оптика и спектроскопия, 130:10 (2022),  1491–1498
11. Диэлектрическое исследование сыворотки крови больных онкогематологическими заболеваниями
    
    Оптика и спектроскопия, 130:6 (2022),  918–923
12. Поляризационные процессы в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.0}$Fe$_{1.0}$S$_{56.5}$
    
    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  559–565
13. Эллипсометрия нанокристаллических пленок VO$_2$, VO$_2$ : Mg, VO$_2$ : Ge
    
    Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2210–2216
14. Импедансметрия нанокристаллитов Ag$_{2}$S, внедренных в нанопористые стекла
    
    Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2185–2191
15. Исследование распределения релаксаторов в тонких слоях аморфного MoTe$_{2}$
    
    Физика твердого тела, 63:11 (2021),  1852–1855
16. Особенности процессов переноса заряда в нанокомпозитах на основе полифениленоксида с фуллереном и эндофуллереном
    
    Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1706–1710
17. Термоимпендансметрия нанокристаллитов V$_{2}$O$_{5}$, локализованных в каналах нанопористого стекла
    
    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1429–1436
18. Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS$_{2}$, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  461–465
19. Диэлектрическая спектроскопия как метод исследования тонких пленок диоксида ванадия
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1885–1890
20. Перенос заряда в планарных структурах на основе халькогенидной системы (As$_{2}$Se$_{3}$)$_{100-x}$Bi$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1664–1668
21. Диэлектрическая спектроскопия пленок VO$_{2}$:Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  44–46
22. Механизм оптической перезарядки магнитных центров в BSO:Fe
    
    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1785–1792
23. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Pb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа
    
    Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 3(69),  15–18
24. Диэлектрическая спектроскопия сильно коррелированных электронных состояний диоксида ванадия
    
    ЖТФ, 88:6 (2018),  877–882
25. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$ с примесью железа
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1038–1040
26. Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge$_{28.5}$Рb$_{15}$S$_{56.5}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  912–915
27. Недебаевский диэлектрический отклик в монолитных слоях стеарата серебра
    
    Физика твердого тела, 59:2 (2017),  255–259
28. Токовая спектроскопия дефектных состояний в стеклообразной системе As-Se
    
    Междунар. науч.-исслед. журн., 2017, № 5-3(59),  147–153
29. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в слоях стеарата серебра
    
    Междунар. науч.-исслед. журн., 2016, № 5-5(47),  16–20
30. Релаксорные свойства монокристаллов твердых растворов Na$_{1/2}$Bi$_{1/2}$TiO$_3$–KTaO$_3$
    
    Письма в ЖТФ, 40:8 (2014),  50–55
31. Термоактивационная и диэлектрическая спектроскопия пленок хитозана
    
    Физика твердого тела, 55:1 (2013),  193–196
32. Диэлектрическое исследование композиционных материалов с наполнителем из сегнетоэлектрической керамики
    
    Междунар. науч.-исслед. журн., 2013, № 10(17),  12–14
33. Инфранизкочастотный фотодиэлектрический отклик аморфных слоев As$_2$Se$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  944–947
34. Исследование структуры аморфных слоев $a$-As$_2$Se$_3\langle$Bi$\rangle_x$ методом диэлектрической спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  92–96
35. Электронно-лучевая модификация параметров фазового перехода изолятор-металл в пленках диоксида ванадия
    
    Письма в ЖТФ, 39:15 (2013),  78–85
36. Особенности фотодиэлектрического эффекта в слоях $\alpha$-As$_2$Se$_3$
    
    Письма в ЖТФ, 39:2 (2013),  1–6
37. Влияние легирующей добавки на диэлектрические свойства модифицированного As$_2$Se$_3$
    
    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  430–432
38. Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As–Se релаксационными методами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1646–1651
39. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As$_2$Se$_3$)$_{1-x}$Bi$_x$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  622–624
40. Широкополосный диэлектрический отклик аморфных слоев As$_2$Se$_3$, приготовленных разными методами
    
    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  1–6
41. Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1038–1041
42. Температурная зависимость диэлектрических параметров тонких слоев As$_2$Se$_3$ с большим содержанием висмута
    
    Письма в ЖТФ, 36:20 (2010),  80–86
43. Дисперсия диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка
    
    Письма в ЖТФ, 36:17 (2010),  9–15