Карпович Игорь Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1542–1545
2. Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  194–197
3. Электронное состояние поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1983–1985
4. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1886–1893
5. Фотолюминесценция в $\delta$-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1848–1849
6. Влияние сульфидирования на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства InP и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1383–1389
7. Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1313–1320
8. К вопросу о вентильной фотоэдс фотоэлементов с красителями
   
   Докл. АН СССР, 117:1 (1957),  57–60
9. О фотопроводимости виолантрона и пирантрона
   
   Докл. АН СССР, 113:5 (1957),  1020–1022