Туктамышев Артур Раисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
2. Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017),  305–310
3. Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  342–347
4. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614
5. Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1630–1634