|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Формирование транспортных слоев диоксида титана с фрактально-перколяционной структурой
Физика твердого тела, 67:12 (2025), 2416–2420
-
Влияние введения катиона моноэтаноламмония в пленки гибридных галогенидных перовскитов на характер их низкотемпературной проводимости
Физика твердого тела, 67:8 (2025), 1419–1425
-
Мультифотонная микроскопия как способ контроля степени очистки структур нитевидных нанокристаллов кремния
Письма в ЖТФ, 51:6 (2025), 12–14
-
Гибридная структура на основе коллоидных квантовых точек CuInS$_2$ и металлофталоцианина
Письма в ЖТФ, 51:1 (2025), 30–32
-
Апериодическая дифракционная решетка, основанная на связи между простыми числами и нулями дзета-функции Римана
ЖТФ, 94:4 (2024), 658–663
-
Влияние температуры подложки на свойства пленок GaS, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы
ЖТФ, 94:4 (2024), 646–651
-
Концепция элементарных ячеек в теории квазикристаллов
ЖТФ, 94:4 (2024), 561–574
-
Sol–gel prepared ZnO: UV irradiation effect on structure and surface properties
Mendeleev Commun., 34:5 (2024), 643–646
-
Получение и свойства наноразмерной пленки диоксида титана для транспортного слоя $n$-типа фотовольтаической ячейки
Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 591–593
-
Архитектоника покрытий из наностержней оксида цинка для адсорбционных газовых сенсоров
ЖТФ, 93:10 (2023), 1494–1502
-
Синтез массивов наноструктурированных пористых кремниевых стержней в кремнии электронного типа электропроводности с кристаллографической ориентацией (111)
ЖТФ, 93:2 (2023), 271–280
-
Эффект интерфейсного легирования системы наностержней оксида цинка
Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1681–1689
-
Сенсибилизация наностержней ZnO коллоидными квантовыми точками AgInS$_2$ для адсорбционных газовых сенсоров с фотоактивацией
ЖТФ, 92:6 (2022), 845–851
-
Газочувствительность наноструктурированных покрытий на основе наностержней оксида цинка при комбинированной активации
ЖТФ, 92:5 (2022), 758–764
-
Исследование формирования слоев станната цинка методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
ЖТФ, 90:7 (2020), 1132–1135
-
Двухэтапный синтез структурированных микросистем из наностержней оксида цинка с использованием ультразвукового спрей-пиролиза и низкотемпературного гидротермального метода
Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1251–1257
-
Управление фрактальностью и размером серебряных кластеров при одностадийном синтезе гетероструктур Ag–ZnO
Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 30–32
-
Formation of AgInS$_2$/ZnS colloidal nanocrystals and their photoluminescence properties
Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2326
-
Светоизлучающие полевые транзисторы на основе композитных пленок полифлуорена и нанокристаллов CsPbBr$_{3}$
Физика твердого тела, 61:2 (2019), 388–394
-
Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники
ЖТФ, 89:12 (2019), 1917–1922
-
Анализ структурной эволюции порошков оксида цинка, полученных методом механического высокоэнергетического размола
ЖТФ, 89:9 (2019), 1406–1411
-
Исследование спектров фотолюминесценции нанокристаллов AgInS$_{2}$/ZnS при воздействии $\gamma$-излучения
Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 34–36
-
Направленная самосборка микро- и нанопроводов оксида цинка
Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 45–48
-
Спектроскопические исследования эволюции фрактальных нанообъектов в пленкообразующих золях ортокремниевой кислоты
ЖТФ, 88:11 (2018), 1743–1751
-
Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники
ЖТФ, 88:11 (2018), 1678–1680
-
Пористый кремний как наноматериал для дисперсных транспортных систем направленной лекарственной доставки ко внутреннему уху
ЖТФ, 88:9 (2018), 1394–1403
-
Synthesis of ternary metal chalcogenide colloidal nanocrystals in aqueous solutions
Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 685
-
Формирование литографических рисунков ограненными микрочастицами оксида цинка на кремниевой подложке
Письма в ЖТФ, 44:15 (2018), 87–92
-
Усиление люминесценции квантовых точек вблизи слоя наночастиц Ag/SiO$_{2}$
Письма в ЖТФ, 44:8 (2018), 35–41
-
Агрегативная устойчивость и магнитные характеристики коллоидных частиц Fe$_{m}$O$_{n}$–SiO$_{2}$, полученных золь-гель методом
Физика твердого тела, 59:5 (2017), 980–985
-
Исследование процессов фотодеградации бриллиантового зеленого на механоактивированных порошках оксида цинка
ЖТФ, 87:11 (2017), 1707–1711
-
Моделирование сенсорного отклика вакуумметров с чувствительными элементами на основе многокомпонентных оксидных наноматериалов с фрактальной структурой
ЖТФ, 87:5 (2017), 780–787
-
Фотолюминесценция нанокристаллов перовскитов CsPbX$_{3}$ ($X$ = Cl, Br, I) и твердых растворов на их основе
Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1387–1392
-
Морфология, оптические и адсорбционные свойства слоев оксидов меди, осажденных из растворов комплексных соединений
Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 615–619
-
Получение гетероструктурных оксидных композиций для перспективных солнечных элементов нового поколения
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 63–67
-
Новый тип газовых сенсоров на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями переменной валентности
Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 11–16
-
Спектроскопические свойства гамма-облученных композитных наночастиц Fe$_{m}$O$_{n}$–SiO$_{2}$
Физика твердого тела, 58:5 (2016), 892–896
-
Заграждающий фильтр видимого и ближнего ультрафиолетового диапазона для флуоресцентного микроскопа на основе явления плазмонного резонанса
Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика. Телекоммуникации. Управление, 2016, № 3(247), 13–22
-
Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов
Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1276–1282
-
Синтез наночастиц металлов и полупроводников в потоке несмешивающихся жидкостей
Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 859–862
-
К модели окисления поликристаллических слоев халькогенидов свинца в иодосодержащей среде
Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 791–793
-
Нанолитографическая самосборка коллоидных наночастиц
Письма в ЖТФ, 42:18 (2016), 81–87
-
Корреляционные зависимости в инфракрасных спектрах наноструктур на основе смешанных оксидов
Физика твердого тела, 57:12 (2015), 2304–2312
-
Чувствительные элементы датчиков вакуума на основе пористых наноструктурированных пленок SiO$_2$–SnO$_2$, полученных золь-гель методом
ЖТФ, 85:6 (2015), 143–147
-
Атомно-силовое зондирование потенциального рельефа VO$_2$-нанокомпозита
ЖТФ, 85:1 (2015), 126–131
-
Наноструктурированные материалы на основе оксида цинка для гетероструктурных солнечных элементов
Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1402–1406
-
Термовольтаический эффект в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью
Письма в ЖТФ, 41:19 (2015), 22–28
-
Исследование структуры, элементного и фазового состава композитных слоев Fe$_3$O$_4$–SiO$_2$ методами растровой электронной микроскопии, рамановской спектроскопии и тепловой десорбции азота
Физика твердого тела, 56:11 (2014), 2086–2090
-
Исследование каталитических свойств пленочных золь-гель систем CoO$_x$–SiO$_2$ на примере роста углеродных наноматериалов
Физика твердого тела, 56:7 (2014), 1356–1359
-
Исследование структуры и состава пленочных золь-гель-систем CoO$_x$–SiO$_2$
Физика твердого тела, 56:2 (2014), 270–275
-
Структуры из нанопроводов с переходами Zn–ZnO : CuO для детектирования паров этанола
ЖТФ, 84:5 (2014), 143–148
-
Газочувствительные слои на основе фрактально-перколяционных структур
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1535–1539
-
Взаимосвязь фотокаталитических и фотолюминесцентных свойств оксида цинка, легированного медью и марганцем
Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 868–874
-
Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства
Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 570–575
-
Исследование суспензии наночастиц магнетита методами фотометрии и ЯМР-релаксометрии
Физика твердого тела, 55:12 (2013), 2313–2317
-
Изучение фотокаталитических и сенсорных свойств нанокомпозитных слоев ZnO/SiO$_2$
Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1662–1666
-
Модели формирования оксидных слоев в наноструктурированных материалах на основе халькогенидов свинца при обработке в парах кислорода и иода
Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1431–1434
-
Исследование влияния кислотно-основных свойств поверхности оксидов ZnO, Fe$_2$O$_3$ и ZnFe$_2$O$_4$ на их газочувствительность по отношению к парам этанола
Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1022–1026
-
Синтез и характеризация наноструктурированных слоев оксида цинка для сенсорики
Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 564–569
-
Функциональный состав поверхности и сенсорные свойства ZnO, Fe$_2$O$_3$ и ZnFe$_2$O$_4$
Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 369–372
-
Особенности синтеза и исследования нанокомпозитных пленок, полученных методом золь-гель-технологии
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, № 2, 155–162
-
Исследование нанокомпозиционных материалов с иерархической структурой на основе системы Y-Fe-Si-O
Наносистемы: физика, химия, математика, 3:5 (2012), 111–124
-
Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем
Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1101–1107
-
Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии
Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011), 1229–1234
-
Когерентные фазовые равновесия в системе Zn–Cd–Te и жидкофазная эпитаксия упругодеформированных слоев твердых растворов Zn$_x$Cd$_{1-x}$Te
Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 865–873
-
Использование оптических методов исследования для выявления структурных особенностей пористых нанокомпозитных пленок системы диоксид олова–диоксид кремния
Письма в ЖТФ, 37:19 (2011), 8–15
-
Взаимодействие газообразных цинка, кадмия и таллия с монокристаллами теллурида свинца
Физика твердого тела, 28:9 (1986), 2865–2867
-
Влияние концентрации собственных дефектов на диффузию индия в Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te
Физика твердого тела, 27:6 (1985), 1868–1870
-
Получение и исследование состава и структуры нового соединения
SnGa$_{6}$Te$_{10}$
ЖТФ, 55:12 (1985), 2408–2410
-
Исследование локальных неоднородностей в PbTe и Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te,
легированных галлием
ЖТФ, 55:3 (1985), 618–620
-
Диффузия олова в PbTe при легировании из газовой фазы
Физика твердого тела, 26:7 (1984), 2200–2202
-
Температурная зависимость коэффициента диффузии фосфора в расплаве
галлия
ЖТФ, 54:4 (1984), 823–825
-
Исследование диффузии индия в кристаллах Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te методом рентгеноспектрального микроанализа
Физика твердого тела, 25:5 (1983), 1515–1516
© , 2026