RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Насимов Дмитрий Александрович
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Контроль формирования слоев графена на подложках 6
H
-SiC(0001) методом
in situ
дифракции быстрых электронов на отражение
Физика и техника полупроводников
,
59
:2 (2025),
102–108
Теоретические и экспериментальные исследования микромагнитов для создания кремниевого квантового процессора
ЖТФ
,
94
:7 (2024),
1071–1078
Взаимодействие атомов In с поверхностью Bi
$_2$
Se
$_3$
(0001) в процессе низкотемпературной адсорбции
Физика и техника полупроводников
,
58
:11 (2024),
606–611
Сверхпроводящие свойства длинных проволок TiN
Письма в ЖЭТФ
,
104
:11 (2016),
787–791
©
МИАН
, 2026