Лазаренко Александра Анатольевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
2. Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  547–550
3. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
4. Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
   
   Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  97–102
5. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
6. Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов
   
   Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  14–19
7. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  569–572
8. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP$_{1-x}$N$_x$ и GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  489–493
9. Цилиндрические многослойные металлодиэлектрические структуры
   
   Письма в ЖТФ, 41:22 (2015),  61–65
10. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645
11. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  518–522
12. Молекулярно-пучковая эпитаксия азотосодержащих твердых растворов GaPN, GaPAsN и InGaPN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  407–411
13. Внутрирезонаторные металлические контакты с уменьшенным поглощением света: конструирование оптических мод лазера на основе таммовских плазмонов
    
    Письма в ЖТФ, 39:15 (2013),  64–71