Неверов Владимир Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Эффекты туннелирования в сильно анизотропных слоистых сверхпроводниках
   
   УФН, 194:7 (2024),  740–752
2. Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023),  896–901
3. Особенности магнитотранспорта в двойной квантовой яме $\mathrm{HgTe/CdHgTe}$ с промежуточной степенью инверсии зон
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:6 (2022),  378–386
4. Квантовые осцилляции магнетосопротивления в гетероструктурах HgCdTe/HgTe/HgCdTe с инвертированным зонным спектром
   
   Физика твердого тела, 63:12 (2021),  1983–1993
5. Effective mass and $g$-factor of two-dimensional HgTe $\Gamma_8$-band electrons: Shubnikov–de Haas oscillations
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  830
6. Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1447–1454
7. Модель “петли экстремумов” для спектра валентной зоны квантовой ямы HgTe/HgCdTe с инвертированной зонной структурой в полуметаллической фазе
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1291–1294
8. Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  16–22
9. Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1630
10. The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  281
11. Двойная квантовая яма в системе HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена и проявляющиеся в ней особенности квантового магнитотранспорта
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016),  415–423
12. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1669–1674
13. Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1593–1597
14. Электрон-электронное взаимодействие и универсальность критических индексов для переходов между плато квантового эффекта Холла в наноструктурах $n$-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  186–191
15. Особенности электронного транспорта в релаксированных транзисторных гетероструктурах Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ с высоким уровнем легирования
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  970–982
16. Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах $n$-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1457–1461