|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора”
Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023), 860–868
-
Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe
Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022), 535–543
-
Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой
Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020), 541–546
-
Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 929–932
-
Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 91–97
-
Температурная активация электронов проводимости в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe $p$-типа проводимости со слоями HgTe критической толщины
Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 935–939
-
Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле
Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018), 352–358
-
Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017), 696–701
-
Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1621–1629
-
Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1588–1593
-
Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 40–44
-
Двойная квантовая яма в системе HgTe/CdHgTe со спектром двуслойного графена и проявляющиеся в ней особенности квантового магнитотранспорта
Письма в ЖЭТФ, 104:6 (2016), 415–423
-
Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1554–1560
-
Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe
Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1676–1682
-
Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл
Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1665–1671
-
Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 196–203
-
Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спиновом резонансе в двумерной системе со спин-орбитальным взаимодействием Дрессельхауза
Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 179–185
-
Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1497–1503
-
Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1424–1429
-
Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом
Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1186–1193
-
Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом
Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 111–119
-
Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами
Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 642–648
© , 2026