Юнин Павел Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Ультратонкие слои оксида церия для формирования субмикронных YBCO-структур
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  53–56
2. Эффекты анизотропного рассеяния в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1254–1261
3. Влияние микроструктуры ультратонких пленок YBaCuO на нелинейный СВЧ отклик
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1236–1240
4. Диоды Шоттки на основе монокристаллических гетероструктур Al/AlGaN/GaN для микроволнового детектирования с нулевым смещением
   
   ЖТФ, 95:6 (2025),  1148–1156
5. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
6. Формирование планарных структур с InGaN-слоями для источников света красного диапазона длин волн
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  406–413
7. Андреевские связанные состояния и парамагнитный эффект при низких температурах в тонких пленках YBCO
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1264–1271
8. Структурные и сверхпроводящие свойства пленок вольфрама и иридия для низкотемпературных микрокалориметров
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1075–1080
9. Характеристики структур YBCO|CeO$_2$|Al$_2$O$_3$ при уменьшении толщины подслоя оксида церия
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  848–853
10. Особенности нелинейного СВЧ отклика ультратонких пленок YBaCuO
    
    Физика твердого тела, 66:6 (2024),  809–813
11. Влияние отношения потоков III и V групп на структурные, излучательные свойства и стимулированное излучение планарных структур с InGaN-слоями в ИК диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  220–225
12. Электрофизические свойства многослойных пленок алмазоподобного углерода с различным содержанием $sp^3$-фазы
    
    Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  30–33
13. Термический отжиг многослойных пленок алмазоподобного углерода с варьируемым содержанием $sp^3$-фазы
    
    Письма в ЖТФ, 50:13 (2024),  12–15
14. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
    
    Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
15. Ферромагнитные слои GaMnAs, полученные имплантацией ионов марганца с последующим импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2230–2238
16. Критерий определения верхних критических полей $H_{c2}$ в тонких пленках YBCO с разной дозой ионного облучения
    
    Физика твердого тела, 65:6 (2023),  907–913
17. Влияние радиационного воздействия на магнитные свойства пленок ферромагнетик/IrMn с обменным сдвигом
    
    ЖТФ, 93:7 (2023),  907–912
18. Особенности формирования объемных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$N в зоне несмешиваемости твердых растворов ($x\sim$ 0.6) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  444–450
19. Плазмохимическое осаждение гидрогенизованных пленок DLC с различным содержанием водорода и $sp^3$-гибридного углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  309–312
20. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
    
    Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
21. Формирование скирмионных состояний в ионно-облученных тонких пленках CoPt
    
    Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1304–1310
22. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO
    
    Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1162–1168
23. Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
    
    ЖТФ, 92:10 (2022),  1582–1587
24. Применение метода GIXRD для исследования нарушенных слоев в керамиках NaNd(WO$_4$)$_2$ и NaNd(MoO$_4$)$_2$, подвергнутых облучению высокоэнергетическими ионами
    
    ЖТФ, 92:8 (2022),  1137–1141
25. Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1002–1010
26. Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  848–854
27. Влияние дозы имплантации водорода на релаксацию электрофизических характеристик структур “кремний-на-изоляторе” после воздействия рентгеновского излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  753–758
28. Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  700–704
29. Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  685–688
30. Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  627–629
31. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
32. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
33. Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
    
    Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  37–40
34. Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO
    
    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439
35. Синхротронные, рентгеновские и электронно-микроскопические исследования каталитических систем на основе многостенных углеродных нанотрубок, модифицированных наночастицами меди
    
    Физика твердого тела, 62:1 (2020),  172–179
36. Магнитоэлектрический эффект в гибридных системах сегнетоэлектрик/ферромагнитная пленка с анизотропией типа “легкая плоскость” и “легкая ось”
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1917–1921
37. Микроструктура переходных границ в многослойных Мо/Ве-системах
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1884–1892
38. Морфология и состав дефектированных массивов ниобиевых оксидных неоднородностей, сформированных анодированием двуслойной системы Al/Nb
    
    ЖТФ, 90:11 (2020),  1854–1859
39. Возможности метода задающей маски для исследования характеристик планарных ВТСП-структур в зависимости от толщины сверхпроводящей пленки
    
    ЖТФ, 90:10 (2020),  1677–1680
40. Исследование элементарных процессов МOC-гидридной эпитаксии наногетероструктур на основе арсенида галлия методом атомно-силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 90:5 (2020),  826–830
41. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
42. Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  865–867
43. Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  855–858
44. Анализ углеродсодержащих материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии: содержание атомов углерода в $sp^{2}$- и $sp^{3}$-гибридных состояниях
    
    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  38–42
45. СВЧ-импеданс тонкопленочных гибридных структур сверхпроводник–нормальный металл с большим отношением проводимостей
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1722–1728
46. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578
47. Влияние термического отжига на свойства многослойных зеркал Mo/Be
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1783–1788
48. Магнитострикционный эффект в ферромагнитных пленках с анизотропией типа “легкая ось” и “легкая плоскость”
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1736–1741
49. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
50. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
51. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
52. Исследование изолирующей области планарных сверхпроводниковых YBCO-структур, формируемых методом задающей маски
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2100–2104
53. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии
    
    ЖТФ, 88:2 (2018),  219–223
54. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
55. Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1380–1383
56. Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1362–1365
57. Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1321–1325
58. Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1300–1303
59. Газофазный синтез нового функционального гибридного материала на основе многостенных углеродных нанотрубок, декорированных ограненными нанокристаллами алюминия
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  24–31
60. Новое ограничение разрешения по глубине при послойном элементном анализе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии: влияние зондирующего ионного пучка
    
    Письма в ЖТФ, 44:8 (2018),  11–19
61. Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 44:7 (2018),  52–60
62. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
63. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
64. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506
65. Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  50–59
66. Фазовые переходы в гибридных SFS структурах с тонкими сверхпроводящими слоями
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016),  336–341
67. Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1657–1661
68. Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1647–1651
69. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536
70. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462
71. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599
72. Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  264–268
73. Экстремально глубокий послойный анализ атомного состава толстых ($>$ 100 $\mu$m) слоев GaAs в составе мощных PIN-диодов методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  27–35
74. Исследование планарных структур, полученных на модифицированных подложках Al$_{2}$O$_{3}$, определяющих топологию сверхпроводящих элементов в процессе осаждения YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-d}$
    
    Письма в ЖТФ, 42:11 (2016),  82–90
75. Пиролитическое осаждение наноструктурированных покрытий карбида титана на поверхность многостенных углеродных нанотрубок
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  40–46
76. Нелинейные калибровочные зависимости в методе вторично-ионной масс-спектрометрии для количественного анализа гетероструктур GeSi с нанокластерами
    
    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  40–48
77. Особенности магнетронного напыления эпитаксиальных пленок YBCO для применений в устройствах сверхпроводниковой электроники
    
    ЖТФ, 85:11 (2015),  109–116
78. Слои Si$_3$N$_4$ для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1469–1472
79. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1463–1468
80. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
81. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  112–116
82. Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  102–106
83. Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  21–24
84. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20
85. Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  73–80
86. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
87. Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  17–25
88. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-дюймовых подложках Si
    
    Письма в ЖТФ, 41:1 (2015),  71–78
89. Рост и особенности формирования микроструктуры пленок YBCO, получаемых методом магнетронного напыления на подложках из фианита
    
    ЖТФ, 84:10 (2014),  68–72
90. Использование связанных параметров в рентгенодифракционном анализе многослойных структур с учетом времени роста слоев
    
    ЖТФ, 84:3 (2014),  94–98
91. Количественная калибровка и послойный анализ концентрации германия в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1138–1146
92. Новый подход к диагностике наноостровков в гетероструктурах Ge$_x$Si$_{1-x}$/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 40:14 (2014),  36–46
93. Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1580–1585
94. Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  45–54
95. Изменения элементного состава и микроструктуры мишени YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ при магнетронном распылении
    
    Письма в ЖТФ, 39:19 (2013),  41–50
96. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1515–1520
97. Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1419–1423
98. Новая альтернатива вторичным ионам CsM+ для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии
    
    Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  75–85