Шалеев Михаил Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур
   
   ЖТФ, 95:1 (2025),  128–135
2. Методика получения Ge/Si(001) самоформирующихся нанопроволок для реализации на их основе дырочных спиновых кубитов
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  17–20
3. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
4. Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  251–258
5. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
6. Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  29–32
7. Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  766–772
8. Кинетика люминесцентного отклика самоформирующихся наноостровков Ge(Si), встроенных в двумерные фотонные кристаллы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1150–1157
9. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
10. Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации
    
    Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018),  371–377
11. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
12. Селективное травление Si, SiGe и Ge и использование его для повышения эффективности кремниевых солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1599–1604
13. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
14. Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016),  229–234
15. Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016),  161–166
16. Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689
17. Влияние шероховатости поверхности на смену режима роста с двумерного на трехмерный в напряженных SiGe-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1657–1661
18. Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1629–1633
19. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536
20. Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1497–1500
21. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1463–1468
22. Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1458–1462
23. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
24. Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  21–24
25. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  404–409
26. Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1448–1452
27. Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  202–206
28. Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  538–543