Горшков Дмитрий Витальевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  22–25
2. Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al$_2$O$_3$ на $n$- и $p$-CdHgTe, стабилизированном сверхтонким собственным оксидом
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  915–921
3. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
4. Исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе CdHgTe и HfO$_2$
   
   Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  16–19
5. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
6. Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe
   
   Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  14–17
7. Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  10–13
8. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1207–1211
9. Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016),  128–132