Преображенский Валерий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резонансное отражение света от периодической системы квазидвумерных слоев наночастиц Bi в GaAs
   
   Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2203–2207
2. Брэгговский резонанс в системе слоев плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  39–43
3. Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1514–1519
4. Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  783–794
5. Формирование самоорганизованных квантовых точек в ходе осаждения GaSbP на поверхность AlP
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  185–191
6. Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2309–2316
7. Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  507–512
8. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP$_x$As$_{1-x}$: феноменологическое описание зависимости $x$ от условий роста на подложке GaAs(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  79–88
9. Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  71–76
10. Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива
    
    Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  37–41
11. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  980–992
12. Выращивание слоев GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  279–284
13. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
14. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
15. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
16. Оптимизация толщины слоя In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в трехкаскадном In$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs/In$_{0.5}$Ga$_{0.5}$P солнечном элементе
    
    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  65–68
17. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
    
    Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
18. Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
    
    ЖТФ, 89:7 (2019),  1071–1078
19. Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц
    
    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  573–577
20. Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1167–1171
21. Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  512–519
22. Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1597–1600
23. Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  525
24. Resonant optical reflection from AsSb–AlGaAs metamaterials and structures
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  471
25. Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  19–25
26. Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017),  696–701
27. Interlayer current near the edge of an $\mathrm{InAs/GaSb}$ double quantum well in proximity with a superconductor
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017),  497–498
28. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
29. Specular Andreev reflection at the edge of an InAs/GaSb double quantum well with band inversion
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:1 (2016),  24–25
30. Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1620–1624
31. Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1519–1526
32. Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1710–1713
33. Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb–AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1635–1639
34. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$P$_x$As$_{1-x}$: механизм формирования состава в подрешетке элементов V группы
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  163–170
35. Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1891–1895
36. Влияние локальных дефектов структуры на преципитацию As вблизи квантовых точек InAs в матрице GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1578–1582
37. Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  898–901
38. Электронная микроскопия структур на основе GaAs с квантовыми точками InAs и As, разделенными барьером AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1196–1203
39. Отражение света от брэгговской решетки металлических нановключений AsSb в матрице AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1043–1047
40. Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1571–1575
41. Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключений AsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1314–1318
42. Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1642–1645
43. Анизотропное отрицательное магнетосопротивление квазидвумерных $\delta$-легированных слоев GaAs
    
    Физика твердого тела, 30:10 (1988),  3148–3150