Чукичев Михаил Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Structural and luminescence characteristics of CuAl_xIn_1−xSe₂ (0<x≤0.30) chalcopyrite solid solutions
   
   Mendeleev Commun., 30:5 (2020),  666–668
2. Luminescence and magnetic properties of copper-deficient $\mathrm{Cu_{2-x}^+Cu_{x/2}^{2+}\square_{x/2}ZnSnS_4}$ $(0\lt x \leqslant 0.30) $ solid solutions with a kesterite structure
   
   Mendeleev Commun., 30:1 (2020),  124–125
3. Влияние отжига в газообразном цинке на люминесценцию в видимом и среднем ИК диапазонах ZnSe : Fe$^{2+}$
   
   Оптика и спектроскопия, 128:11 (2020),  1710–1716
4. Кинетика затухания люминесценции примесных центров Fe²⁺ в поликристаллическом кристалле ZnSe при возбуждении электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 50:8 (2020),  730–733
5. Crystallographic, magnetic and luminescence characteristics of CuIn₂Se₄ with a cadmium thioaluminate structure and Cu(In_1−xGa_x)₂Se₄ solid solutions (0<x≤0.3)
   
   Mendeleev Commun., 29:3 (2019),  276–278
6. Катодолюминесценция ZnSe : Fe в средней инфракрасной области спектра
   
   Оптика и спектроскопия, 126:2 (2019),  122–125
7. Magnetic and luminescent properties of copper-deficient Cu_1–x(In_0.7Ga_0.3)Se₂ (0 < x ⩽ 0.32) solid solutions with chalcopyrite structure
   
   Mendeleev Commun., 28:3 (2018),  248–250
8. Экспериментальное и теоретическое исследования характеристик позиционно-чувствительных фотоприемников на основе эпитаксиальных слоев $n$-CdSe/слюда
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  689–694
9. Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1325–1332
10. ИК люминесценция монокристаллов ZnSe:Fe²⁺ при возбуждении электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 46:6 (2016),  545–547
11. Особенности перестройки с ростом уровня возбуждения спектров экситонной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  203–206
12. Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  445–451
13. Краевое излучение ZnSe при взаимодействии носителей заряда и плазмон-фононных возбуждений
    
    Физика твердого тела, 33:1 (1991),  63–68
14. Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  762–766
15. Исследование спектров катодолюминесценции кристаллов моноклинного дифосфида цинка, легированного медью
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2132–2135
16. Излучение электронно-дырочной плазмы в сильно возбужденных пленках ZnTe/Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  132–139
17. Высокотемпературная люминесценция в $6H$-SiC, легированном Ga и N
    
    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  38–41
18. Катодолюминесценция SiC-6H, легированного Ga, при высоких уровнях возбуждения
    
    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  60–64
19. Многоплазмонные оптические переходы в невырожденной электронно-дырочной плазме прямозонных полупроводников
    
    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  614–617
20. Воздействие электронов « допороговых» энергий на дефектообразование в приповерхностной области германия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1654–1658
21. Катодолюминесценция кристаллов ZnAs$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1447–1450
22. Стимулированное излучение при электронном возбуждении кристаллов дифосфида цинка моноклинной модификации
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1141–1143
23. Излучательная рекомбинация одноосно деформированных монокристаллов ZnP$_{2}$ и CdP$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1016–1020
24. Исследование катодолюминесценции кристаллов ZnSe, термообработанных в вакууме
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  191–194
25. Особенности перестройки спектров краевой катодолюминесценции сильно возбужденных эпитаксиальных пленок селенида цинка
    
    Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2614–2620
26. Влияние облучения электронами на фотопроводимость аморфного гидрогенизированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1594–1597
27. Об участии плазмонов в излучении электронно-дырочной плазмы эпитаксиальных слоев ZnSe
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1571–1576
28. Спектры собственного излучения кристаллов CdP$_{2}$, возбужденного электронным пучком
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1312–1315
29. Низкотемпературная катодолюминесценция GaP : Sb
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  323–325
30. Энергетические уровни ионов меди в селениде цинка
    
    Физика твердого тела, 26:12 (1984),  3681–3683
31. Высокотемпературная голубая катодолюминесценция кристаллов ZnSe
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1457–1462
32. Люминесценция кристаллов дифосфида цинка–германия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1426–1429
33. О структуре краевой люминесценции эпитаксиальных пленок ZnTe на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1120–1123
34. Электронные переходы в ZnSe, обусловленные Ni
    
    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1585–1589