RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Щеглов Михаил Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Полуполярный нитрид алюминия: эпитаксия объемного материала на наноструктурированной кремниевой подложке

    Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  25–28
  2. Магнитные свойства субмикронных слоев $\alpha$-Fe$_2$O$_3$, выращенных на сапфире методом mist-CVD

    Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1274–1278
  3. Выращивание кристаллов K$_2$O $\times$ 8Ga$_2$O$_3$ из раствора в расплаве KF и исследование их свойств

    Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1150–1153
  4. Слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках (100) $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом ультразвуковой паровой химической эпитаксии (mist-CVD)

    Письма в ЖТФ, 51:20 (2025),  21–23
  5. Эпитаксия AlN$(11\bar{2}2)$-слоев на GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  42–44
  6. Циклотронный резонанс в монокристаллах YFe$_5$O$_{12}$

    Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1888–1894
  7. HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)

    Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  474–477
  8. Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)

    Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  47–50
  9. Фотоприемники глубокого ультрафиолета на основе пленок композита In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  7–9
  10. Структурная трансформация тонких пленок $\alpha$- и $\kappa$-Ga$_2$O$_3$ на сапфире при отжиге на воздухе

    Физика твердого тела, 65:10 (2023),  1715–1721
  11. Рекордно толстые эпитаксиальные слои $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$, выращенные на GaN/$c$-сапфире

    ЖТФ, 93:3 (2023),  403–408
  12. Высокая чувствительность пленок оксида индия, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии, к аммиаку

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  145–152
  13. Тонкие монокристаллические слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках сапфира в реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  43–46
  14. The effect of liquid Silicon on the AlN crystal growth

    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  527
  15. Анизотропные напряжения в слоях $\mathrm{GaN}(11\bar20)$ на подложке $r$-$\mathrm{Al}_2\mathrm{O}_3$ при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  266–270
  16. Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда

    Письма в ЖТФ, 48:22 (2022),  24–27
  17. Получение толстых слоев $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_2$O$_3$ методом хлоридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  35–38
  18. Газочувствительные свойства пленок твердого раствора In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$

    Письма в ЖТФ, 48:14 (2022),  37–41
  19. Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления

    Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  29–31
  20. Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке

    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  27–29
  21. Электрическая поляризация в ErCrO$_{3}$, индуцированная локальными полярными областями

    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  501–509
  22. Электрическая поляризация в YCrO$_{3}$, индуцированная локальными полярными областями магнитной и структурной природы

    Физика твердого тела, 61:1 (2019),  95–103
  23. Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии

    ЖТФ, 89:4 (2019),  574–577
  24. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
  25. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009
  26. Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  789–792
  27. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
  28. Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  3–5
  29. Замороженное суперпараэлектрическое состояние локальных полярных областей в GdMn$_{2}$O$_{5}$ и Gd$_{0.8}$Ce$_{0.2}$Mn$_{2}$O$_{5}$

    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  531–542
  30. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
  31. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
  32. Форма распределения интенсивности рентгеновской дифракции в обратном пространстве и ее связь с дислокационной структурой эпитаксиальных слоев

    Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  96–102
  33. Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке

    Письма в ЖТФ, 44:12 (2018),  45–51
  34. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке

    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  96–103
  35. Room-temperature electric polarization induced by phase separation in multiferroic GdMn$_2$O$_5$

    Письма в ЖЭТФ, 103:4 (2016),  274–279
  36. Предотвращение растрескивания кристаллов AIN на подложках SiC путем испарения подложек

    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2400–2404
  37. Блочность и остаточные напряжения в трубчатых монокристаллах сапфира, выращенных способом Степанова

    Физика твердого тела, 57:11 (2015),  2190–2196
  38. Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC

    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54
  39. Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1554–1558
  40. Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)

    Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  1–8
  41. Арсенид-галлиевые $p$–$i$–$n$-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках

    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  1–7
  42. Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии

    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  21–26
  43. Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников

    ЖТФ, 80:4 (2010),  105–114
  44. Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  265–269
  45. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23
  46. Измерение рассеяния рентгеновских лучей в условиях зеркального отражения в дифференциальном режиме

    ЖТФ, 57:7 (1987),  1436–1438

© МИАН, 2026