RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ильинская Наталья Дмитриевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях

    ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
  2. Мостиковые InAs/InAsSbP-фотодиоды: особенности технологии создания

    Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  505–509
  3. Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  37–42
  4. Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37
  5. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии

    Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
  6. Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов

    ЖТФ, 94:6 (2024),  888–893
  7. Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  710–715
  8. Плазмохимическое травление в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей

    ЖТФ, 92:4 (2022),  604–607
  9. Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A$^3$B$^5$-гетероструктур

    ЖТФ, 92:1 (2022),  108–112
  10. Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии

    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  508–515
  11. Электрохимическое осаждение контактных материалов в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  376–379
  12. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
  13. Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613
  14. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской

    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  349–353
  15. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
  16. Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью

    Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  48–50
  17. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
  18. Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста

    ЖТФ, 90:6 (2020),  997–1000
  19. Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683
  20. О защите высоковольтных мезаструктурных 4$H$-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска

    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  207–211
  21. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102
  22. Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  832–838
  23. Разработка методов жидкостного травления разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов

    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  14–16
  24. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m

    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
  25. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей

    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
  26. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m

    ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
  27. Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1499–1502
  28. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099
  29. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
  30. Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815
  31. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
  32. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
  33. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе “тонких” квантовых ям

    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  95–102
  34. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
  35. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131
  36. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка

    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  843–847
  37. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
  38. Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726
  39. Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb–AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1635–1639
  40. Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  951–955
  41. Электрические свойства структур Pd-оксид-InP

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  376–378
  42. Цилиндрические многослойные металлодиэлектрические структуры

    Письма в ЖТФ, 41:22 (2015),  61–65
  43. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности

    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  30–36
  44. Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  82–88
  45. Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами

    Письма в ЖТФ, 41:16 (2015),  77–83
  46. Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs

    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1891–1895
  47. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1693–1696
  48. Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами

    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1434–1438
  49. $P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)

    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1394–1397
  50. Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1249–1253
  51. Исследование постростового процесса изготовления квантовых каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1132–1137
  52. Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах

    Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649
  53. Фотонные кристаллы и брэгговские решетки для излучателей среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1595–1598
  54. Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1489–1492
  55. Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1109–1115
  56. Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  821–824
  57. Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  83–86
  58. Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  45–52
  59. Приготовление полосковой структуры для квантовых каскадных лазеров

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  32–37
  60. Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb

    Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  39–45
  61. Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  708–713
  62. Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)

    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  411–415
  63. Исследование квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, при температурах выше комнатной

    Письма в ЖТФ, 38:14 (2012),  27–31
  64. Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP

    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49
  65. Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод

    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  31–39
  66. Источники излучения в средней инфракрасной области спектра на основе связанных дисковых резонаторов

    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  7–13
  67. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  85–90
  68. Анизотропная поляризация излучения в квантово-размерных лазерах, работающих на модах шепчущей галереи

    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  4–9
  69. Синхронизация мод на высших гармониках в лазерах на квантовых точках с туннельно-связанными волноводами

    Письма в ЖТФ, 38:2 (2012),  25–31
  70. Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона ($\lambda_{\mathrm{max}}\approx$ 3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1560–1563
  71. Влияние параметров AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$ пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  992–995
  72. Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  677–681
  73. Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  95–103
  74. Пассивная синхронизация мод в лазерах на сверхрешетке из квантовых точек

    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  31–36
  75. Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17
  76. Об “избыточных” токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  680–683
  77. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda\approx$ 3.3 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  278–284
  78. Генерирование широкополосного гауссовского случайного сигнала

    Письма в ЖТФ, 36:15 (2010),  102–110
  79. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49
  80. Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO$_2$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m)

    Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  105–110
  81. Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418
  82. Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21
  83. Локальная эпитаксия карбида кремния из жидкой фазы

    Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  77–80
  84. Диагностика гетерограниц InGaAsP/InP по оже-профилям косого шлифа, полученного химическим травлением

    ЖТФ, 60:10 (1990),  177–180
  85. Инжекционные гетеролазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb

    Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  58–62
  86. Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе InGaAs/InP

    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1807–1810
  87. Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором

    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  289–293
  88. Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения

    ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824
  89. Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках

    ЖТФ, 57:4 (1987),  778–782
  90. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
  91. Мезаполосковые InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия

    ЖТФ, 55:9 (1985),  1872–1876
  92. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP

    ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
  93. Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349
  94. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP

    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
  95. Спонтанные торцевые InGaAsP/InP-ДГС излучатели для ВОЛС с диаметром 200 мкм

    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1286–1290
  96. Низкопороговые мезаполосковые JnGaAsP/JnP лазеры непрерывного действия (${\lambda\simeq 1.3}$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  961–964
  97. Торцевые спонтанные излучатели на основе ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K

    ЖТФ, 53:7 (1983),  1408–1411

© МИАН, 2026