Задиранов Юрий Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Зарядовые состояния одиночных квантовых точек в микрорезонаторной $p{-}n{-}p$ гетероструктуре со встроенной кулоновской блокадой
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:5 (2025),  386–392
2. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
3. Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  58–62
4. Сверхширокополосный фазовый модулятор на основе многомодового канального волновода на тонкопленочном ниобате лития
   
   Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  25–29
5. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
6. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
7. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  43–46
8. Плазмохимическое травление в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей
   
   ЖТФ, 92:4 (2022),  604–607
9. Постростовые технологии каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе A$^3$B$^5$-гетероструктур
   
   ЖТФ, 92:1 (2022),  108–112
10. Источник неразличимых одиночных фотонов на основе эпитаксиальных InAs/GaAs квантовых точек для интеграции в схемы квантовых вычислений
    
    Письма в ЖЭТФ, 113:4 (2021),  248–255
11. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
12. Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой
    
    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  188–194
13. Период капельного квазибесселева пучка, генерируемого аксиконом со скругленной вершиной
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  48–51
14. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
15. Измерение геометрических параметров мощного ИК лазерного луча в прифокальной области для применений в лазерно-плазменном источнике коротковолнового излучения
    
    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1224–1228
16. Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  97–102
17. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  147–151
18. Генерация капельных квазибесселевых пучков при помощи полупроводникового лазера
    
    Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019),  781–786
19. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
20. Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  15–17
21. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
22. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
23. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m
    
    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
24. Абсолютно калиброванные спектрально разрешенные измерения интенсивности излучения Xe лазерной плазмы в дальнем ультрафиолетовом диапазоне
    
    ЖТФ, 88:10 (2018),  1554–1558
25. Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815
26. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
27. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
28. Генерация капельных бесселевых пучков при помощи полупроводникового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  72–78
29. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
30. Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  85–94
31. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
32. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
33. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
34. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
35. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131
36. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
37. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
38. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
39. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  843–847
40. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
41. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
42. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
43. Эмиссионные спектры лазера на сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1379–1385
44. Цилиндрические многослойные металлодиэлектрические структуры
    
    Письма в ЖТФ, 41:22 (2015),  61–65
45. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  30–36
46. Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1697–1703
47. Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1059–1064
48. Воздействие УФ предыонизационного импульса на выход коротковолнового излучения из лазерно-плазменного источника с Xe газоструйной мишенью
    
    Письма в ЖТФ, 40:15 (2014),  38–44
49. Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
    
    Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649
50. Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  591–601
51. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
52. Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  833–837
53. Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  70–77
54. Исследование структуры и параметров луча KrF-эксимерного лазера
    
    ЖТФ, 82:12 (2012),  72–78
55. Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1063–1066
56. Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  96–102
57. Влияние ширины барьера в структуре с двумя асимметричными связанными квантовыми ямами на область существования пассивной синхронизации мод
    
    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  31–39
58. Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1266–1273
59. Оптическое поглощение в сверхрешетках квантовых точек InAs/GaAs в электрическом поле при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1095–1101
60. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
61. Пассивная синхронизация мод в лазерах на сверхрешетке из квантовых точек
    
    Письма в ЖТФ, 37:18 (2011),  31–36
62. Тонкопленочные многопроходные AlGaAs-фотоэлементы с двусторонней фоточувствительностью
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  193–197
63. Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного арсенида галлия
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  771–777
64. Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1897–1900
65. Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах на основе гетероструктуры
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  677–682
66. Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры
    
    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1281–1285
67. Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  719–723
68. Мощные импульсные транзисторы на основе арсенида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  976–979
69. Исследование транзисторов с оптической связью
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1618–1622
70. Взаимное влияние широкозонного и узкозонного фотоэлементов при работе каскадных $n$-GaAs${-}p$-AlGaAs${-}n$-AlGaAs-гетерофотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  446–448
71. Фотоэлектролюминесценция в AlGaAs-гетероструктуpax
    
    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1058–1061
72. Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  652–655