Семенов Алексей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
2. Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1663–1667
3. Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526
4. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
5. Фотоотражение антимонида индия
   
   Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2307–2313
6. Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне
   
   Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  33–39
7. Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале
   
   Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  352–357
8. Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев Al$_x$In$_{1-x}$Sb из спектров отражения
   
   Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  258–263
9. Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1481–1485
10. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1379–1385
11. Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1098–1103
12. Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  699–705
13. Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  205–209
14. Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002),  463–466
15. Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных твердых растворах на основе InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  545–547