Вавилова Людмила Сергеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация дизайна гетероструктуры InGaAsP/InP мощных лазерных диодов, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  171–178
2. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
3. Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552
4. AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом
   
   Квантовая электроника, 49:7 (2019),  661–665
5. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
6. Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
   
   Квантовая электроника, 45:10 (2015),  879–883
7. Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1564–1569
8. К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1377–1382
9. Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1078–1081
10. Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128
11. Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1344–1348
12. Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1489–1497
13. Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1417–1421
14. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  817–821
15. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  688–693
16. Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1153–1157
17. Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209
18. Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  757–758
19. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165