Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)
Квантовая электроника, 45:10 (2015), 879–883
-
Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм
Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 716–718
-
Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs
Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1078–1081
-
Дифракционные решетки с отражением в высоком порядке для мощных полупроводниковых лазеров
Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 252–257
-
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом
Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 246–250
© , 2026