Микушкин Валерий Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Атомно-подобные незанятые состояния GaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020),  801–806
2. The diagram of $p$–$n$ junction formed on the $n$-GaAs surface by 1.5 keV Ar$^+$ ion beam
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1396
3. Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  437–440
4. Квантовая яма на поверхности $n$-GaAs, облученной ионами аргона
   
   Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018),  248–251
5. Composition and band structure of the native oxide nanolayer on the ion beam treated surface of the GaAs wafer
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  506
6. Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  24–30
7. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
8. Электронно-стимулированное восстановление поверхности оксида графита
   
   Письма в ЖТФ, 42:7 (2016),  1–9
9. Электронно-стимулированное восстановление оксида графита
   
   Письма в ЖЭТФ, 102:7 (2015),  497–501
10. Simulation of secondary electron transport in thin metal and fullerite films
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 5:1 (2014),  81–85
11. Управление шириной запрещенной зоны оксида графита дозированным восстановлением в водороде
    
    Письма в ЖТФ, 37:20 (2011),  1–8
12. Химическое действие пучка инертного аргона на нитридный нанослой, сформированный ионной имплантацией поверхности GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  40–47
13. МО-механизм образования автоионизационных состояний при протонном ударе
    
    Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  652–655