RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Цырлин Георгий Эрнстович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)

    Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  16–21
  2. Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом

    Физика твердого тела, 67:6 (2025),  934–939
  3. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины

    Физика твердого тела, 67:1 (2025),  28–30
  4. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя Si$_x$N$_y$ методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Письма в ЖТФ, 51:14 (2025),  39–43
  5. Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)

    Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  27–30
  6. Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO

    Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023),  1403–1411
  7. Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе

    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  332–337
  8. Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN

    Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  32–35
  9. Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  689–692
  10. Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As

    Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  32–35
  11. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
  12. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
  13. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35
  14. Исследование спектров комплексного показателя преломления пленок мононуклеотидов на кремнии в терагерцевом диапазоне

    Письма в ЖТФ, 47:17 (2021),  29–31
  15. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  47–50
  16. Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне

    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  128–133
  17. Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов

    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  122–127
  18. Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  952–957
  19. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905
  20. Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887
  21. MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition

    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542
  22. Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках

    Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35
  23. Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1289–1292
  24. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50
  25. Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40
  26. Поляризационная спектроскопия одиночной квантовой точки и одиночной квантовой нити

    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2445–2449
  27. Тонкая структура уровней и пьезоспектроскопия A$^{+}$-центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

    Физика твердого тела, 60:2 (2018),  333–340
  28. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
  29. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468
  30. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
  31. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
  32. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
  33. GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511
  34. The features of GaAs nanowire SEM images

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510
  35. Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  509
  36. Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  475
  37. Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469
  38. Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  23–27
  39. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9
  40. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
  41. Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1631
  42. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587
  43. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
  44. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна

    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
  45. Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием

    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77
  46. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
  47. Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения

    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2314–2318
  48. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
  49. Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1675–1678
  50. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
  51. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1587–1591
  52. Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1543–1547
  53. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
  54. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
  55. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
  56. Generation of THz radiation by AlGaAs nanowires

    Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  348–353
  57. Температурное тушение спонтанного излучения в туннельно-инжекционных наноструктурах

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1531–1539
  58. Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79
  59. Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе

    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  33–41
  60. Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка–квантовая яма

    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1209–1216
  61. Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363
  62. Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния

    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  36–43
  63. Новый метод определения модуля Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов с помощью растрового электронного микроскопа

    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2118–2122
  64. Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs

    Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1132–1141
  65. Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах

    Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649
  66. Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов(Ga,Mn)As

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1425–1430
  67. Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1356–1360
  68. Ultra-low density InAs quantum dots

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1335–1338
  69. Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036
  70. Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe

    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  865–868
  71. Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be

    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  797–801
  72. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
  73. Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503
  74. Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  857–860
  75. Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  188–193
  76. Влияние послеростовой термической обработки на структурные и оптические свойства InP/InAsP/InP нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  184–187
  77. Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100)

    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  78–83
  78. Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As

    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27
  79. Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$

    Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366
  80. Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1114–1116
  81. Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1079–1083
  82. Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846
  83. Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  441–445
  84. Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1084–1092
  85. Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs

    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  636–641
  86. Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  114–117

© МИАН, 2026