Самсоненко Юрий Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Неупорядоченная лазерная генерация в нанокристаллах ZnO, выращенных гидротермальным методом
   
   Физика твердого тела, 66:1 (2024),  17–21
2. Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  37–40
3. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
4. Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  469
5. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9
6. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587
7. Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием
   
   Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77
8. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
9. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
10. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
11. Generation of THz radiation by AlGaAs nanowires
    
    Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  348–353
12. Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79
13. Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363
14. Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния
    
    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  36–43
15. Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs
    
    Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1132–1141
16. Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
    
    Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649
17. Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов(Ga,Mn)As
    
    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1425–1430
18. Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036
19. Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  797–801
20. Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503
21. Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As
    
    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27
22. Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$
    
    Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366
23. Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1114–1116
24. Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1079–1083
25. Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846
26. Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  441–445
27. Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1084–1092
28. Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  636–641
29. Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  114–117