RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Буравлев Алексей Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Изготовление дифракционных решеток c блеском с переменной плотностью штрихов

    ЖТФ, 95:10 (2025),  1861–1869
  2. Высокочастотные дифракционные Mo/Be-решетки с малым углом блеска–исследование эффективности

    ЖТФ, 94:7 (2024),  1128–1135
  3. Высокочастотные многослойные дифракционные Si-решетки с малым углом блеска – изготовление

    ЖТФ, 94:7 (2024),  1119–1127
  4. Резонансы рельефных треугольных решеток для ввода/вывода терагерцевого излучения в полупроводниках А$_3$В$_5$

    Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  49–52
  5. Кремниевые решетки с блеском для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения: влияние формы профиля штриха и случайной шероховатости на дифракционную эффективность

    ЖТФ, 93:7 (2023),  859–866
  6. Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок “сверху-вниз”

    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  343–347
  7. Терагерцовые излучатели с активной областью на основе сверхмногопериодных решеток AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  321–326
  8. Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике

    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  7–10
  9. Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    ЖТФ, 90:11 (2020),  1906–1912
  10. Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2294–2297
  11. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
  12. Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1726–1732
  13. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
  14. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
  15. Поляризационная спектроскопия одиночной квантовой точки и одиночной квантовой нити

    Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2445–2449
  16. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
  17. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1464–1468
  18. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
  19. The features of GaAs nanowire SEM images

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510
  20. Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  23–27
  21. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  5–9
  22. Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1631
  23. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1587
  24. Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием

    Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  71–77
  25. Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs

    Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016),  128–131
  26. Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1675–1678
  27. Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1644–1646
  28. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1587–1591
  29. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1441–1444
  30. Generation of THz radiation by AlGaAs nanowires

    Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015),  348–353
  31. Моделирование антиотражающих свойств композиционных материалов на основе полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  16–24
  32. Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  71–79
  33. Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе

    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  33–41
  34. Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363
  35. Новый метод определения модуля Юнга (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов с помощью растрового электронного микроскопа

    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2118–2122
  36. Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs

    Физика твердого тела, 55:6 (2013),  1132–1141
  37. Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах

    Физика твердого тела, 55:4 (2013),  645–649
  38. Влияние потока мышьяка при молекулярно-пучковой эпитаксии самокаталитических нитевидных нанокристаллов(Ga,Mn)As

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1425–1430
  39. Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1033–1036
  40. Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be

    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  797–801
  41. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
  42. Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1492–1503
  43. Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  188–193
  44. Молекулярно-пучковая эпитаксия (Ga,Mn)As нитевидных кристаллов на поверхности GaAs(100)

    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  78–83
  45. Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As

    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27
  46. Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$

    Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366
  47. Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1114–1116
  48. Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1079–1083
  49. Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  840–846
  50. Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  441–445

© МИАН, 2026