Азаров Иван Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  153–159
2. Структура и кинетика диспропорционирования тонких пленок GeO
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1585–1590
3. Octafluorobiphenyl-4,4'-diyl 9-oxothioxanthene-1,4-diyl polyether – a promising material for organic film based memristors: synthesis, memristive effect and charge transport mechanism
   
   Mendeleev Commun., 34:5 (2024),  667–669
4. In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1240–1247
5. Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения
   
   Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020),  1815–1820
6. О структуре тонких пленок монооксида германия
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1296–1301
7. Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  137–142
8. Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
   
   Физика твердого тела, 60:4 (2018),  696–700
9. New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  517
10. Роль анизотропии и спин-орбитального взаимодействия в оптических и диэлектрических свойствах соединений BiTeI и BiTeCl
    
    Письма в ЖЭТФ, 101:8 (2015),  563–568
11. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd$_{1-z}$Zn$_z$Te методом спектральной эллипсометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  62–68