Курешов Владимир Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  420–425
2. Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  292–295
3. Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN
   
   Квантовая электроника, 45:7 (2015),  601–603