Климов Александр Эдуардович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон
   
   Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  22–25
2. МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  243–249
3. Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  1040–1044
4. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1122–1128
5. Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  896–901
6. Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  796–800
7. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон
   
   ЖТФ, 89:11 (2019),  1795–1799
8. Особенности спектров примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) при изменении температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1303–1308
9. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1207–1211
10. Эффект поля в пленках PbSnTe : In с низкой проводимостью в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1401–1406
11. Гигантское магнетосопротивление пленок PbSnTe:In в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом: угловые особенности и влияние поверхности
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:7 (2017),  426–433
12. Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1574–1578
13. Влияние поверхности на транспортные явления в пленках PbSnTe : In/BaF$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1569–1573
14. Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719
15. Твердый раствор PbSnTe : In – уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1662–1668
16. Анизотропия магнитоемкости структур на основе пленок PbSnTe : In/BaF$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1501–1508
17. Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  447–453
18. Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра
    
    УФН, 185:10 (2015),  1031–1042