Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски
Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 356–359
-
Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009
-
Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51
-
Сравнительный анализ двух методов расчета коэффициента отражения черного кремния
Квантовая электроника, 45:4 (2015), 385–390
© , 2026