Шмагин Вячеслав Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Моделирование транспортных и излучательных характеристик светоизлучающего латерального кремниевого $p^+$–$i$–$n^+$-транзистора с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  242–249
2. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
3. Исследование сегрегации сурьмы при эпитаксиальном росте на подложках Si с различной кристаллографической ориентацией
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1611–1615
4. Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1538–1542
5. Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1497–1500
6. Применение техники годографа к диагностике диодных структур
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1492–1496
7. Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
   
   Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918
8. Особенности безызлучательной релаксации ионов Er$^{3+}$ в кремниевых эпитаксиальных структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1626–1631
9. Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1513–1516
10. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого $p$–$n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  134–139
11. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488
12. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  132–135
13. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1645–1648
14. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур $p^+/n^+/n$-Si:Er туннельно-пролетного типа
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1533–1538
15. Повышение разрешения в релаксационной спектроскопии глубоких уровней с двухканальным строб-интегратором
    
    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  955–958