Шенгуров Дмитрий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур
   
   ЖТФ, 95:1 (2025),  128–135
2. Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613
3. Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10
4. Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  414–420
5. Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  251–258
6. Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
   
   Письма в ЖТФ, 49:22 (2023),  12–15
7. Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  29–32
8. Формирование и исследование оптических свойств локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в резонаторы
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  420–426
9. Локально деформированные структуры Ge/SOI с улучшенным теплоотводом как активная среда для кремниевой оптоэлектроники
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1360–1365
10. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
11. Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1685–1689
12. Электролюминесценция кремниевых МОП структур с массивами наноостровков Ge(Si)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1497–1500
13. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  350–353
14. Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  18–23
15. Применение техники годографа к диагностике диодных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1492–1496
16. Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  913–918
17. Особенности безызлучательной релаксации ионов Er$^{3+}$ в кремниевых эпитаксиальных структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1626–1631
18. Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  417–420
19. Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si : Er/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1513–1516
20. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  410–413
21. Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1448–1452
22. Механизм подзонного возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1435–1439
23. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si(001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  230–234
24. Легирование бором гетероструктур Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si в процессе сублимации кремния в среде германа
    
    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  24–30