Матвеев С А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1270–1275
2. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
   
   Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
3. Гетероструктуры Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  417–420