RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Морозов Сергей Вячеславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона

    Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  44–47
  2. Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке

    Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13
  3. Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней

    Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613
  4. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
  5. Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления

    Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10
  6. Резонансная оже-рекомбинация в квантовых ямах HgTe/CdHgTe для лазеров среднего инфракрасного диапазона

    Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  35–38
  7. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях

    Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
  8. Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона

    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  23–27
  9. Критерий определения верхних критических полей $H_{c2}$ в тонких пленках YBCO с разной дозой ионного облучения

    Физика твердого тела, 65:6 (2023),  907–913
  10. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
  11. Расчет резонансных состояний двухвалентного кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  438–443
  12. Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425
  13. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO

    Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1162–1168
  14. Расчет дискретных и резонансных уровней акцепторов в узкозонных твердых растворах CdHgTe

    Письма в ЖЭТФ, 116:5 (2022),  307–312
  15. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц

    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
  16. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
  17. Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe

    Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405
  18. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
  19. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
  20. Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926
  21. Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  861–868
  22. Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  855–860
  23. Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817
  24. Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  455–459
  25. Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  391–396
  26. Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  9–15
  27. Применение метода матрицы рассеяния для расчета примесных состояний в полупроводниковых структурах

    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  26–29
  28. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54
  29. Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163
  30. Экспериментальное наблюдение $s$-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO

    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1434–1439
  31. Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора

    Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688
  32. Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173
  33. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
  34. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
  35. Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  906–912
  36. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905
  37. Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887
  38. Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883
  39. Расчет волновых функций резонансных состояний акцепторов в узкозонных соединениях CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  695–699
  40. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ во внешних магнитных полях

    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1573–1578
  41. Стимулированное излучение на длине волны $2.86$ мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки

    Письма в ЖЭТФ, 110:5 (2019),  297–302
  42. Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне

    Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684
  43. Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

    Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  91–97
  44. Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302
  45. Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249
  46. Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1224–1228
  47. Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181
  48. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50
  49. Генерация терагерцевого излучения на разностной частоте в лазере на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  689–692
  50. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
  51. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
  52. Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1257–1262
  53. Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1100–1103
  54. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
  55. Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620
  56. Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593
  57. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах

    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
  58. Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719
  59. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
  60. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
  61. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1587–1591
  62. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458
  63. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675
  64. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659
  65. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  192–195
  66. Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  117–121
  67. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  112–116
  68. Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой

    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  895–899
  69. Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1499–1502
  70. Cпектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0–1.2 мкм

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1517–1520
  71. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1486–1488
  72. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1472–1475
  73. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450
  74. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1440–1443
  75. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1414–1418
  76. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
  77. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392
  78. Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943
  79. Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1523–1526
  80. Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм

    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  422–429

© МИАН, 2026