Теп Ф

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора”
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868
2. Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022),  535–543
3. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546
4. Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684
5. Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  91–97
6. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd_xHg_1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
7. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
8. Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017),  696–701
9. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
10. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
11. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
12. Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560
13. Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682
14. Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1665–1671
15. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659
16. Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  895–899