Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Impact of the dislocation density on the transient photoluminescence intensity in GaN semiconductor
Сиб. электрон. матем. изв., 21:2 (2024), 555–569
-
Алгоритмы стохастического моделирования для итерационного решения уравнения Ламе
Сиб. журн. вычисл. матем., 26:4 (2023), 357–377
-
Параллельная реализация стохастической клеточно-автоматной модели рекомбинации электронов и дырок в 2D и 3D неоднородных полупроводниках
Вестн. ЮУрГУ. Сер. Выч. матем. информ., 6:1 (2017), 87–103
-
Дискретное стохастическое моделирование рекомбинации электронов и дырок в 2D- и 3D-неоднородных полупроводниках
ПДМ, 2016, № 4(34), 110–127
-
Генерация компьютерного представления пористой структуры с помощью тоталистического клеточного автомата
ПДМ, 2015, № 1(27), 120–128
-
Стохастическое клеточно-автоматное моделирование колебаний и автоволн в реакционно-диффузионных системах
Сиб. журн. вычисл. матем., 18:3 (2015), 255–274
© , 2026