Андреев В М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  33–41
2. Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные ($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ
   
   Письма в ЖТФ, 17:5 (1991),  1–5
3. AlGaAs/GaAs гетероструктуры, полученные методом ЖФЭ на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  1–3
4. Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1757–1761
5. Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1194–1199
6. Компенсация кремния при дрейфе лития из ограниченного резервуара
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  585–587
7. Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений
   
   Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  56–59
8. AlGaAs одночастотные квантоворазмерные лазерные диоды с пороговым током генерации 1мА, полученные ЖФЭ
   
   Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  32–35
9. Сверхнизкопороговые ($I_{n}=1.3$ мА, $T=300$ K) квантоворазмерные AlGaAs лазеры без отражающих покрытий зеркал, полученные ЖФЭ
   
   Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  41–44
10. Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света
    
    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  7–12
11. Низкопороговые (${I_{\text{п}}=3.0}$ мА, ${T=300}$ K) квантоворазмерные AlGaAs лазерные диоды с зарощенной гетероструктурой, полученные ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  66–71
12. Тонкопленочные солнечные элементы с двусторонней чувствительностью на гетероструктурах (Al, Ga)As
    
    ЖТФ, 59:11 (1989),  199–201
13. Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  612–615
14. Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  597–600
15. Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых $n^{+}{-}p{-}p^{+}$-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  478–482
16. Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  20–24
17. Ориентационные эффекты при жидкофазной эпитаксии AlGaAs структур
    
    ЖТФ, 58:9 (1988),  1789–1792
18. Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям
    
    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2039–2042
19. Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1775–1779
20. Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле $p{-}n$-перехода
    
    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1629–1633
21. Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1526–1528
22. Влияние радиации на фотоэлектрические параметры AlGaAs${-}(p{-}n)$-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1391–1395
23. Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1096–1100
24. Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного диапазона токов ($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2057–2060
25. Низкопороговые ($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K) полосковые квантоворазмерные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1537–1540
26. Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å) поверхностными AlGaAs-слоями, полученными методом ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1429–1433
27. Тонкопленочные многопроходные AlGaAs-фотоэлементы с двусторонней фоточувствительностью
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  193–197
28. Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176
29. Инжекционный отжиг дефектов AlGaAs-структур солнечных элементов в процессе радиационного облучения
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  121–125
30. «Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы
    
    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  76–79
31. Высокоэффективные тонкопленочные солнечные элементы (ТСЭ) для преобразования концентрированного излучения
    
    ЖТФ, 57:9 (1987),  1805–1810
32. Теория компенсации полупроводников методом дрейфа ионов легирующей примеси
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1673–1680
33. Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1212–1216
34. Снижение поверхностных рекомбинационных токов в Р-П $Al\,Ga\,As/Ga\,As$ переходах
    
    Письма в ЖТФ, 13:24 (1987),  1481–1485
35. Процесс установления концентрации в дрейфующем пакете неравновесных носителей, инжектированных в $p{-}n$-переход
    
    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1856–1860
36. Об использовании электрооптического эффекта для изучения области пространственного заряда $p{-}n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1234–1238
37. Высокоэффективные информационно-энергетические AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  435–439
38. Низкопороговые (${j_{\text{п}}= 230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  381–383
39. Тонкопленочные $Al\,Ga\,As-Ga\,As$ солнечные фотоэлементы для преобразования концентрированного солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 12:19 (1986),  1197–1202
40. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093
41. Гетеропереходные биполярные транзисторы, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  719–723
42. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  533–537
43. Поведение AlGaAs гетерофотоэлементов при низких уровнях освещения (10$^{-1}$–10$^{-3}$ Вт/см$^{2}$) в диапазоне температур 173–373 K
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2004–2009
44. Влияние поверхности Al$-$Ga$-$As гетероструктур на диффузию цинка из газовой фазы
    
    ЖТФ, 55:9 (1985),  1844–1846
45. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
46. Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа AlGaAs гетерофотоэлементов
    
    ЖТФ, 55:6 (1985),  1124–1129
47. Низкая скорость поверхностной рекомбинации (${S =10^{4}}$ см/с) в эпитаксиальном $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1826–1829
48. Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  668–673
49. Гетерофотоэлементы с низким значением обратного тока насыщения
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  276–281
50. Фотолюминесцентные свойства и электронное строение поверхности анодно окисленного $n$-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  110–113
51. Термостабильные концентраторные солнечные элементы на основе $Al\,Ga\,As$-гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 11:14 (1985),  853–857
52. Исследование диффузии цинка из газовой фазы в твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1320–1324
53. Тонкопленочные AlGaAs гетерофотоэлементы с удаленной GaAs подложкой
    
    ЖТФ, 54:6 (1984),  1215–1218
54. Солнечные фотоэлементы на основе InP и твердых растворов Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$P$_{1-y}$
    
    ЖТФ, 54:4 (1984),  862–864
55. Влияние встроенных электрических полей на температурную стабильность параметров Al$-$Ga$-$As-гетерофотоэлементов
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  1979–1984
56. Каскадные Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  121–125
57. Элементы каскадных солнечных фотопреобразователей на основе гетероструктур InP$-$GaInPAs и InP$-$CdS
    
    Письма в ЖТФ, 10:1 (1984),  51–55
58. Расчет каскадных солнечных элементов на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$
    
    ЖТФ, 53:10 (1983),  2025–2031
59. Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$ перехода
    
    ЖТФ, 53:8 (1983),  1658–1660
60. Исследование транзисторов с оптической связью
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1618–1622
61. Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs солнечные фотоэлементы с КПД 19% (AM 0) и 24% (AM 1.5)
    
    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1251–1254
62. Фотоэлектролюминесценция в AlGaAs-гетероструктуpax
    
    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1058–1061
63. Фотоэлементы на основе гетеропереходов в системе Al$_{y}$Ga$_{1-y}$As$_{1-x}$Sb$_{x}$
    
    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  734–737
64. Концентраторные фотоэлектрические батареи на основе AlGaAs$-$GaAs солнечных элементов
    
    Письма в ЖТФ, 9:2 (1983),  102–104
65. γ-Альдегидокислоты
    
    Усп. хим., 37:4 (1968),  559–580
66. Стереохимия диеновой конденсации 1-$\alpha$-ацетоксивинил – $\Delta^1$-циклогексена с малеиновым ангидридом
    
    Докл. АН СССР, 119:5 (1958),  945–948


67. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894