Ильинский Александр Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности диэлектрических спектров пленок йодида серебра, легированных медью
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2399–2402
2. Спектроскопический контроль энергетической щели легированных алюминием окисно-ванадиевых структур
   
   Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2287–2295
3. Формирование многозвенной петли гистерезиса проводимости при фазовом переходе в пленках диоксида ванадия
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  990–997
4. Изменение при легировании хромом структуры диэлектрических спектров пленок диоксида ванадия
   
   Физика твердого тела, 67:4 (2025),  737–746
5. Раздельное наблюдение электронного перехода Мотта и структурного перехода Пайерлса в диоксиде ванадия
   
   Физика твердого тела, 67:4 (2025),  704–710
6. Роль легирования ионами серебра в трансформации механизма фазового перехода в пленках диоксида ванадия
   
   Физика твердого тела, 67:2 (2025),  391–398
7. Диэлектрическая спектроскопия пленок AgI, легированных Cu
   
   Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2092–2094
8. Диэлектрическая спектроскопия кристаллов легированных силленитов
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1330–1337
9. Анализ диэлектрических спектров с учетом распределения релаксаторов по временам релаксации
   
   Физика твердого тела, 66:5 (2024),  708–716
10. Фазовый переход полупроводник–суперионик в кристаллах AgI
    
    Физика твердого тела, 65:9 (2023),  1507–1514
11. Диэлектрическо-спектроскопическая сепарация характеристик механизмов проводимости в нанокристаллических пленках AgI
    
    Физика твердого тела, 65:8 (2023),  1325–1332
12. Закономерности формирования электропроводящих свойств окислов ряда Магнели
    
    Физика твердого тела, 65:3 (2023),  460–471
13. Фазовый переход полупроводник–металл в окислах ряда Магнели: VO и V$_2$O$_3$
    
    Физика твердого тела, 64:10 (2022),  1552–1556
14. Электропроводящие свойства окислов ряда Магнели: VO и V$_2$O$_5$
    
    Физика твердого тела, 64:6 (2022),  702–705
15. Диэлектрические измерения нанокристаллических пленок VO$_2$ : Fe
    
    Оптика и спектроскопия, 130:10 (2022),  1491–1498
16. Эллипсометрия нанокристаллических пленок VO$_2$, VO$_2$ : Mg, VO$_2$ : Ge
    
    Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2210–2216
17. Импедансметрия нанокристаллитов Ag$_{2}$S, внедренных в нанопористые стекла
    
    Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2185–2191
18. Термоимпендансметрия нанокристаллитов V$_{2}$O$_{5}$, локализованных в каналах нанопористого стекла
    
    Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1429–1436
19. Механизм влияния водорода на фазовый переход в пленках V$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 63:5 (2021),  666–673
20. Активация нейромедиаторов мозга животных интерференционными транскраниальными токами
    
    ЖТФ, 91:12 (2021),  2067–2079
21. Фазовый переход полупроводник–суперионик в пленках сульфида серебра
    
    Физика твердого тела, 62:12 (2020),  2138–2146
22. Корреляционная природа фазового перехода изолятор–металл в пленках V$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1284–1292
23. Диэлектрическая спектроскопия и механизм фазового перехода полупроводник-металл в легированных пленках VO$_{2}$:Ge и VO$_{2}$:Mg
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  331–340
24. Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  153–159
25. Диэлектрическая спектроскопия как метод исследования тонких пленок диоксида ванадия
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1885–1890
26. Диэлектрическая спектроскопия пленок VO$_{2}$:Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  44–46
27. Механизм оптической перезарядки магнитных центров в BSO:Fe
    
    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1785–1792
28. Комплексная природа термических фазовых превращений в растворах альбумина
    
    ЖТФ, 88:6 (2018),  934–942
29. Диэлектрическая спектроскопия сильно коррелированных электронных состояний диоксида ванадия
    
    ЖТФ, 88:6 (2018),  877–882
30. Влияние излучения крайне высоких частот на выработку серотонина в живом организме
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  27–33
31. Атомно-силовое зондирование потенциального рельефа VO$_2$-нанокомпозита
    
    ЖТФ, 85:1 (2015),  126–131
32. Электрон-электронные корреляции в спектрах комбинационного рассеяния VO$_2$
    
    Физика твердого тела, 55:1 (2013),  147–156
33. Магнитооптические эффекты в нелегированных кристаллах силиката висмута
    
    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, 2013, № 4-1(182),  9–20
34. Электронно-лучевая модификация параметров фазового перехода изолятор-металл в пленках диоксида ванадия
    
    Письма в ЖТФ, 39:15 (2013),  78–85
35. Природа электронной составляющей термического фазового перехода в пленках VO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1194–1208
36. Фазовый переход и корреляционные эффекты в диоксиде ванадия
    
    Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  439–446
37. Металлизация гидрированием моноклинной фазы в пленках VO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1197–1202
38. Экранирование поля в $p{-}i{-}n$-структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности
    
    Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  710–718
39. О поздней стадии экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках
    
    Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3427–3430
40. Динамика экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках ZnSe
    
    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3014–3023
41. Эволюция электрического поля в силикате висмута при локальном фотовозбуждении
    
    ЖТФ, 60:11 (1990),  94–103
42. Стационарное распределение электрического поля в кристаллах силленитов, одновременно облучаемых электронным и световым пучками
    
    ЖТФ, 60:6 (1990),  84–91
43. Два режима экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках с глубокими центрами
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  212–220
44. Релаксация фототока и электрического поля в МДП структуре на основе силиката висмута
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1780–1787
45. Динамика экранирования электрического поля в фоторефрактивных кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$
    
    Письма в ЖТФ, 14:14 (1988),  1330–1335
46. Роль глубоких центров в динамике зарядов и полей в фоторефрактивных кристаллах силленитов
    
    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3438–3445
47. Роль глубоких центров захвата в фотоэлектрических свойствах Bi$_{12}$GeO$_{20}$
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  926–929
48. Стратификация объемного заряда при экранировании поля в кристаллах
    
    Физика твердого тела, 26:9 (1984),  2843–2851
49. Возникновение знакопеременного объемного заряда в кристалле в процессе экранирования внешнего поля
    
    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  743–745
50. Определение параметров ловушек в высокоомных нецентросимметричных фотопроводниках методом оптического зондирования захваченного заряда
    
    Физика твердого тела, 25:10 (1983),  3042–3048
51. Динамика распределения поля и заряда в Bi$_{12}$GeO$_{20}$ при термической ионизации ловушек
    
    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2755–2758
52. Влияние предварительного оптического возбуждения ловушек на процессы переноса заряда в кристаллах Bi$_{12}$GeO$_{20}$
    
    Физика твердого тела, 25:7 (1983),  2163–2168