Малехонова Наталья Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электроимпульсное (“искровое”) плазменное спекание мелкозернистых вольфрамовых сплавов W + 10%Ni
   
   ЖТФ, 95:7 (2025),  1346–1355
2. Электроимпульсное (“искровое”) плазменное спекание нанопорошков вольфрама и W+5%Ni, полученных методом высокоэнергетической механоактивации
   
   ЖТФ, 93:11 (2023),  1550–1560
3. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  833–838
4. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  122–127
5. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  58–62
6. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  11–14
7. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  3–5
8. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
   
   Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
9. Электронография высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси марганца
   
   Письма в ЖЭТФ, 100:11 (2014),  818–823
10. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния
    
    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2243–2249
11. Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1617–1620
12. Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1613–1616
13. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1510–1514