RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Цыпленков Вениамин Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Многофононная релаксация триплета 1$s(T_2)$ нейтральных доноров магния в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  7–13
  2. Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  455–460
  3. Оптическое возбуждение спин-триплетных состояний двухэлектронных доноров в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  327–331
  4. Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами

    Квантовая электроника, 53:5 (2023),  401–405
  5. Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$

    Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022),  139–145
  6. Фотонное эхо в германии с мелкими донорами

    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  728–733
  7. Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  901–907
  8. Междолинные процессы релаксации состояний мелких доноров в германии

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  807–812
  9. Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1145–1149
  10. Влияние одноосной деформации в направлении [110] на релаксацию состояний мелких доноров мышьяка в германии

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  918–921
  11. Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821
  12. О возможности интерференции Рамсея в германии, легированном мелкими примесями

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  807–811
  13. Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии

    Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682
  14. Внутрицентровая релаксация мелких доноров сурьмы в деформированном германии

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1372–1377
  15. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
  16. Внутрицентровая релаксация мелких доноров мышьяка в деформированном германии. Инверсия населенностей при оптическом возбуждении

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1469–1476
  17. Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge

    Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017),  555–560
  18. Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1701–1705
  19. Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1479–1483
  20. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20
  21. Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии

    Квантовая электроника, 45:2 (2015),  113–120
  22. Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1044–1049
  23. Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  199–205


© МИАН, 2026