Жукавин Роман Хусейнович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
2. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
3. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
4. Многофононная релаксация триплета 1$s(T_2)$ нейтральных доноров магния в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  7–13
5. Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  455–460
6. Оптическое возбуждение спин-триплетных состояний двухэлектронных доноров в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  327–331
7. Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  401–405
8. Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022),  139–145
9. Терагерцовое стимулированное излучение при оптическом резонансном возбуждении германия, легированного мелкими донорами
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  729–732
10. Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1145–1149
11. Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821
12. Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682
13. Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1285–1288
14. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
15. Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017),  555–560
16. Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1701–1705
17. Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1629–1633
18. Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1479–1483
19. Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  18–23
20. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20
21. Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии
    
    Квантовая электроника, 45:2 (2015),  113–120
22. Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция кремния с литием при межзонном возбуждении
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  876–880
23. Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1044–1049
24. Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  199–205
25. Легирование бором гетероструктур Si$_{1-x}$Ge$_x$/Si в процессе сублимации кремния в среде германа
    
    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  24–30