RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ковалевский Константин Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
  2. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона

    Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
  3. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях

    Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
  4. Двойные доноры магния в кремнии как потенциальная активная среда в терагерцовом диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  455–460
  5. Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$

    Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022),  139–145
  6. Релаксация возбужденных состояний мышьяка в деформированном германии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1145–1149
  7. Перестройка спектра терагерцового стимулированного излучения при внутрицентровом оптическом возбуждении одноосно-деформированного Si : Bi

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  816–821
  8. Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии

    Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682
  9. Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266
  10. Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge

    Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017),  555–560
  11. Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1701–1705
  12. Поглощение и излучение в терагерцовом диапазоне частот при фотоионизации акцепторов в одноосно-деформированном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1479–1483
  13. Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  15–20
  14. Терагерцевые лазеры на внутрицентровых переходах доноров V группы в одноосно деформированном кремнии

    Квантовая электроника, 45:2 (2015),  113–120
  15. Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  199–205


© МИАН, 2026