RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Софронов Антон Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера

    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  365–369
  2. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m

    ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
  3. Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815
  4. Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  63–67
  5. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
  6. Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона в структурах с двойными квантовыми ямами в продольном электрическом поле

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  378–382
  7. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
  8. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1574–1577
  9. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  30–34
  10. Исследование оптических свойств фотодитазина для расширения возможностей фотодинамической терапии

    Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, 2014, № 4(206),  110–117
  11. Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1599–1603
  12. Спиновая ориентация дырок при протекании тока в теллуре

    Физика твердого тела, 54:12 (2012),  2237–2247
  13. Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1566–1570
  14. Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1451–1454
  15. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний

    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446


© МИАН, 2026